[發明專利]具有面積減小的磷光體發射表面的分段式LED陣列架構

在審

• 申請號: 201880090096.1
• 申請日: 2018-12-21
• 公開（公告）號: CN111712919A
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: 沈于甄;L·戈登;A·A·帕特爾
• 申請（專利權）人: 亮銳有限責任公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/50;H01L33/44;H01L33/00;H01L33/20;H01L33/46
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 江鵬飛;閆小龍

一種器件包括外延層（122）上的波長轉換層（130）。波長轉換層（130）包括寬度等于外延層（122）的寬度的第一表面（132）、寬度小于第一表面（132）的寬度的第二表面（136）以及成角度的側壁（138）。保形非發射層（140）形成在成角度的側壁（138）和外延層（122）的側壁（142）上，使得波長轉換層（130）的第二表面（136）暴露。還公開了一種形成所述器件和包括多個所述器件的發光二極管（LED）陣列的方法。

相關應用的交叉引用

本申請要求2017年12月21日提交的第62/609030號美國臨時申請、2018年3月1日提交的第18159512.5號歐洲專利申請和2018年12月19日提交的第16/226226號美國非臨時申請的權益，其內容在此通過引用并入本文。

背景技術

包括發光二極管（LED）、諧振腔發光二極管（RCLED）、垂直腔激光二極管（VCSEL）和邊緣發射激光器的半導體發光器件躋身于當前可用的最有效的光源。在能夠跨可見光譜操作的高亮度發光器件的制造中，當前感興趣的材料系統包括III-V族半導體，特別是鎵、鋁、銦和氮的二元、三元和四元合金，也被稱為III族氮化物材料。

通常，通過由金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其他外延技術在藍寶石、碳化硅、III族氮化物或其他合適的襯底上外延生長具有不同成分和摻雜劑濃度的半導體層的堆疊來制造III族氮化物發光器件。該堆疊常常包括在襯底之上形成的用例如硅摻雜的一個或多個n型層、在該一個或多個n型層之上形成的有源區中的一個或多個發光層、以及在該有源區之上形成的用例如鎂摻雜的一個或多個p型層。在n型區和p型區上形成電接觸部。。

發明內容

器件可以包括外延層上的波長轉換層。波長轉換層可以包括寬度等于外延層的寬度的第一表面、寬度小于第一表面的寬度的第二表面以及成角度的側壁。保形非發射層可以形成在成角度的側壁和外延層的側壁上，使得波長轉換層的第二表面暴露。

附圖說明

從下面的描述中可以得到更詳細的理解，下面的描述是結合附圖作為示例給出的，在附圖中：

圖1A是具有分解部分的LED陣列的俯視圖圖示；

圖1B是具有溝槽的LED陣列的截面圖示；

圖1C是具有溝槽的另一LED陣列的透視圖示；

圖1D是像素的截面圖；

圖1E示出了在外延層上形成的預先形成的波長轉換層；

圖1F示出了應用于外延層的波長轉換層；

圖1G示出了在波長轉換層和外延層上形成非發射層；

圖1H示出了去除非發射層的一部分以暴露波長轉換層的上表面；

圖1I示出了圖1D-1H的替代示例，其中生長襯底留在外延層上；

圖1J示出了在外延層上形成的波長轉換層；

圖1K示出了應用于外延層的波長轉換層；

圖1L示出了去除波長轉換層的部分以形成成角度的側壁；

圖1M示出了在波長轉換層和外延層上形成非發射層；

圖1N示出了去除非發射層的一部分以暴露波長轉換層的上表面；

圖1O示出了直接在外延層的上表面上形成波長轉換層；

圖1P示出了去除波長轉換層的部分以形成成角度的側壁；

圖1Q示出了在波長轉換層和外延層上形成非發射層；

圖1R示出了去除非發射層的一部分以暴露波長轉換層的上表面；