[發明專利]使用化學抑制對膜進行保形性調節

在審

• 申請號: 201880090055.2
• 申請日: 2018-12-14
• 公開（公告）號: CN111742077A
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發明（設計）人: 大衛·C·史密斯;丹尼斯·M·豪斯曼
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 樊英如;張靜

1.一種原子層沉積(ALD)設備，其包含：

室；

前體氣體源；

抑制前體氣體源；

具有相應的氣流路徑的一或多個注射器，每一個注射器具有能連接至所述前體氣體源或所述抑制前體氣體源的入口，且適合于單獨地或與另一注射器一起使前體氣體在多個區域中的第一區域中以第一氣體流率輸送至所述室中以便以第一沉積速率形成第一膜，并且

適合于在所述多個區域中的相同區域或第二區域中以第二氣體流率輸送抑制前體氣體以抑制所述第一膜的生長。

2.根據權利要求1所述的ALD設備，其中所述一或多個注射器進一步適合于在使所述前體氣體進入所述室之前，將所述抑制前體氣體輸送至所述室中。

3.根據權利要求1所述的ALD設備，其中所述一或多個注射器進一步適合于在使所述抑制前體氣體進入所述室之前，將所述前體氣體輸送至所述室中。

4.根據權利要求1所述的ALD設備，其中所述一或多個注射器進一步適合于在使所述前體氣體進入所述室的同時，將所述抑制前體氣體輸送至所述室中。

5.根據權利要求1所述的ALD設備，其中所述一或多個注射器進一步適合于在所述多個區域中的一者中以第三氣體流率輸送第二前體氣體，以便以第二沉積速率形成第二膜。

6.根據權利要求5所述的ALD設備，其中所述一或多個注射器進一步適合于在使所述抑制前體氣體進入所述室的同時，輸送所述第二前體氣體。

7.根據權利要求1所述的ALD設備，其中所述前體氣體包含螫合劑。

8.根據權利要求1所述的ALD設備，其中所述螫合劑包含HAcAc、丁烷硫醇、乙醇以及膦中的一或多者。

9.根據權利要求1所述的ALD設備，其中所述一或多個注射器進一步適合于以小于在平坦表面上實現所述前體氣體的飽和所需的最小暴露的1％的暴露水平輸送低度暴露的抑制前體氣體。

10.一種用于原子層沉積(ALD)中的輪廓控制的方法，其包括：

使前體氣體在ALD反應器的室中的多個區域的第一區域中以第一氣體流率進入所述室中，以便以第一沉積速率形成第一膜；以及

在所述室中的所述多個區域的相同區域或第二區域中以第二氣體流率輸送抑制前體氣體，以抑制所述第一膜層的成長。

11.根據權利要求10所述的方法，其還包括：在使所述前體氣體進入所述室之前，將所述抑制前體氣體輸送至所述室中。

12.根據權利要求10所述的方法，其還包括：在使所述抑制前體氣體進入所述室之前，將所述前體氣體輸送至所述室中。

13.根據權利要求10所述的方法，其還包括：在使所述前體氣體進入所述室的同時，將所述抑制前體氣體輸送至所述室中。

14.根據權利要求10所述的方法，其還包括：在所述多個區域中的一者中以第三氣體流率輸送第二前體氣體，以在所述室中以第二沉積速率形成第二膜。

15.根據權利要求14所述的方法，其還包括：在使所述抑制前體氣體進入所述室的同時，輸送所述第二前體氣體。

16.根據權利要求10所述的方法，其還包括：在所述前體氣體中包含螫合劑。

17.根據權利要求16所述的方法，其還包括：在所述螫合劑中包含HAcAc、丁烷硫醇、乙醇以及膦中的一或多者。

18.根據權利要求10所述的方法，其還包括：以小于在平坦表面上實現所述前體氣體的飽和所需的最小暴露的1％的暴露水平輸送所述抑制前體氣體。