[發(fā)明專利]制造具有無載體模腔的扇出型封裝的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880088794.8 | 申請日: | 2018-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN111712907A | 公開(公告)日: | 2020-09-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 沈明浩 | 申請(專利權(quán))人: | 迪德魯科技(BVI)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L23/538 |
| 代理公司: | 北京辰權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11619 | 代理人: | 郎志濤;董李欣 |
| 地址: | 美國加利福尼亞州圣克拉拉*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制造 有無 載體 扇出型 封裝 方法 | ||
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法,包括:
提供第一模制板和第二模制板,所述第一模制板和所述第二模制板被構(gòu)造成形成具有多個凹口的模制結(jié)構(gòu);
在所述第一模制板和所述第二模制板之間分配模制化合物;
將所述第一模制板和所述第二模制板放在一起,以使所述模制化合物在所述第一模制板和所述第二模制板之間成型;
使所述模制化合物固化,從而形成包括多個框架結(jié)構(gòu)的框架構(gòu)件,所述框架結(jié)構(gòu)限定所述框架構(gòu)件中的所述多個凹口;
將多個管芯在所述框架構(gòu)件的相應(yīng)凹口內(nèi)粘附到所述框架構(gòu)件,使得所述多個管芯中的每一個至少部分地被所述多個框架結(jié)構(gòu)中的至少一個包圍,其中每個管芯具有相應(yīng)的有源表面和至少一個相應(yīng)的集成電路區(qū)域;
在所述管芯上和所述框架構(gòu)件的框架結(jié)構(gòu)上形成再分布層(RDL),從而形成多管芯面板,其中所述RDL的形成包括在每個管芯與相應(yīng)的相鄰框架結(jié)構(gòu)之間在所述多個凹口中形成介電結(jié)構(gòu);以及
沿著所述多個框架結(jié)構(gòu)將多層面板切割以獲得單獨的半導(dǎo)體器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述模制化合包含環(huán)氧樹脂。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中,所述模制化合物的固化包括固化所述環(huán)氧樹脂。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括在所述第一模制板和所述第二模制板之間提供離型膜,使得在所述第一模制板和所述第二模制板放在一起之前,所述離型膜位于所述模制化合物與所述第一模制板和所述第二模制板中的至少一個之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述框架構(gòu)件的所述多個凹口被布置在所述框架構(gòu)件的第一側(cè)上,并且其中,所述方法進一步包括從所述框架構(gòu)件的第二側(cè)去除所述框架構(gòu)件的材料,其中所述第二側(cè)與所述框架構(gòu)件的所述第一側(cè)相反。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述多個管芯的每一個包括硅。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述RDL層包括電連接到相應(yīng)管芯的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
8.一種制造半導(dǎo)體器件的方法,包括:
提供多個模制板,所述多個模制板被構(gòu)造成形成具有第一凹口和第二凹口的模制結(jié)構(gòu);
使用所述多個模制板將模制化合物成形;
固化所述模制化合物,從而形成包括多個框架結(jié)構(gòu)的框架構(gòu)件,所述多個框架結(jié)構(gòu)限定了所述框架構(gòu)件中的所述第一凹口和所述第二凹口;
將第一管芯和第二管芯分別在所述框架構(gòu)件的所述第一凹口和所述第二凹口內(nèi)粘附到所述框架構(gòu)件,使得所述第一管芯和所述第二管芯中的每一個至少部分地被所述多個框架結(jié)構(gòu)中的至少一個包圍,其中所述第一管芯和所述第二管芯中的每一個具有相應(yīng)的有源表面和至少一個相應(yīng)的集成電路區(qū)域;
在所述第一管芯和所述第二管芯上以及所述框架構(gòu)件的框架結(jié)構(gòu)上形成再分布層(RDL),從而形成多管芯面板,其中所述RDL的形成包括在所述第一管芯和所述第二管芯中的每一個與相應(yīng)的相鄰框架結(jié)構(gòu)之間在所述第一凹口和所述第二凹口中形成介電結(jié)構(gòu);以及
沿著所述多個框架結(jié)構(gòu)將多層面板切割以獲得單獨的半導(dǎo)體器件。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中,所述模制化合包含環(huán)氧樹脂。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中,所述模制化合物的固化包括固化所述環(huán)氧樹脂。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,還包括在所述多個模制板中的至少一個附近提供離型膜,使得在所述模制化合物成型之前,所述離型膜位于所述模制化合物與所述多個模制板中的所述至少一個之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中,所述框架構(gòu)件的所述第一凹口和所述第二凹口被布置在所述框架構(gòu)件的第一側(cè)上,并且其中,所述方法進一步包括從所述框架構(gòu)件的第二側(cè)去除所述框架構(gòu)件的材料,其中所述第二側(cè)與所述框架構(gòu)件的所述第一側(cè)相反。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





