[發(fā)明專(zhuān)利]三維電阻式存儲(chǔ)器及允許獲得這種存儲(chǔ)器的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880088269.6
• 申請(qǐng)日: 2018-12-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111656547A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 卡里爾·埃爾·哈賈姆;加布里埃爾·莫拉斯;讓-弗朗索瓦·諾丁
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 法國(guó)原子能及替代能源委員會(huì)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L45/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L45/00;H01L27/24
• 代理公司: 中國(guó)商標(biāo)專(zhuān)利事務(wù)所有限公司 11234
• 代理人: 桑麗茹

1.三維存儲(chǔ)器(CO)，其包括：

-多個(gè)第一電極(EP)，稱(chēng)為扁平電極(EP)，多個(gè)扁平電極(EP)中的每個(gè)扁平電極(EP)限定平面(P)；

-第二電極(EV)，稱(chēng)為垂直電極(EV)，該第二電極基本上沿著垂直于由每個(gè)扁平電極(EP)限定的平面的軸線(Z)延伸；

-多個(gè)第三電極(EF)，稱(chēng)為浮動(dòng)電極，多個(gè)浮動(dòng)電極(EF)中的每個(gè)浮動(dòng)電極(EF)位于多個(gè)扁平電極(EP)中的扁平電極(EP)與垂直電極(EV)之間；

-多個(gè)絕緣材料的第一層CI，多個(gè)扁平電極EP中的每個(gè)扁平電極EP通過(guò)多個(gè)絕緣材料的第一層CI中的絕緣材料的第一層CI與前一個(gè)和/或后一個(gè)扁平電極EP隔開(kāi)；

-多個(gè)第一活性材料的第一層(C1)，活性材料的每個(gè)層(C1)隔開(kāi)多個(gè)扁平電極(EP)中的扁平電極(EP)以及與其相關(guān)聯(lián)的浮動(dòng)電極(EF)；

-第二活性材料的第二層，所述第二活性材料的第二層將垂直電極(EV)與多個(gè)浮動(dòng)電極(EF)中的浮動(dòng)電極(EF)隔開(kāi)；

第一活性材料能夠形成選擇器(SE)或存儲(chǔ)點(diǎn)(PM)，并且第二活性材料能夠形成存儲(chǔ)點(diǎn)(PM)或選擇器(SE)，存儲(chǔ)器的特征在于，多個(gè)扁平電極(EP)中的每個(gè)扁平電極(EP)包括：

-由第一導(dǎo)電材料制成的第一子層(EP1)；

-由第二導(dǎo)電材料制成的第二子層(EP2)；以及

-由第三導(dǎo)電材料制成的第三子層(EP3)。

2.根據(jù)前一權(quán)利要求所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，第一子層(EP1)的近端和第三子層(EP3)的近端比第二子層(EP2)的近端更靠近垂直電極(EV)，以便形成凹陷(RET)，浮動(dòng)電極(EF)的部分插入所述凹陷(RET)中。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，第一子層(EP1)的近端和第三子層(EP3)的近端比第二子層(EP2)的近端更遠(yuǎn)離垂直電極(EV)，以便形成突起(PROT)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，與所考慮的扁平電極(EP)相關(guān)聯(lián)的浮動(dòng)電極(EF)的厚度大于扁平電極(EP)的第二子層(EP2)的厚度。

5.用于制造3D存儲(chǔ)器的方法，其包括：

-沉積絕緣材料的第一層(CI)的第一步驟(D1)；

-在絕緣材料的第一層(CI)上沉積導(dǎo)電材料的第一層(EP)的第二步驟(D2)；

重復(fù)沉積絕緣材料的第一層(CI)的第一步驟(D1)和沉積導(dǎo)電材料的第一層(EP)的第二步驟(D2)，以獲得多個(gè)絕緣材料的第一層(CI)和多個(gè)導(dǎo)電材料的第一層(EP)，該方法還包括：

-在多個(gè)絕緣材料的第一層(CI)中和在多個(gè)導(dǎo)電材料的第一層(EP)中進(jìn)行各向異性蝕刻的第一步驟(AG1)；

-選擇性蝕刻多個(gè)導(dǎo)電材料的第一層(EP)的第一步驟(SG1)；

-共形沉積第一活性材料的第一層(C1)的第四步驟(D4)；

-沉積導(dǎo)電材料的第二層(EF’)的第五步驟(D5)；

-各向異性蝕刻導(dǎo)電材料層(EF’)和第一活性材料層(C1)的第二步驟(AG2)；

-共形沉積第二活性材料的第二層(C2)的第六步驟(D6)；

-沉積導(dǎo)電材料的第三層(EV)的第七步驟(D7)；

該方法的特征在于，在絕緣材料的第一層(CI)上沉積導(dǎo)電材料的第一層(EP)的第二步驟(D2)包括：

-沉積由第一導(dǎo)電材料制成的第一子層(EP1)的步驟(D21)；

-沉積由第二導(dǎo)電材料制成的第二子層(EP2)的步驟(D22)；

-沉積由第三導(dǎo)電材料制成的第三子層(EP3)的步驟(D23)；

在選擇性蝕刻多個(gè)導(dǎo)電材料的第一層(EP)的第一步驟(SG1)期間，以與蝕刻第二子層(EP2)的材料的速率不同的速率蝕刻第一子層(EP1)的材料和第三子層(EP3)的材料。

6.根據(jù)前一權(quán)利要求所述的方法，其中，在選擇性蝕刻多個(gè)導(dǎo)電材料的第一層(EP)的第一步驟(SG1)期間，以比蝕刻第二子層(EP2)的第二材料的速率更慢的速率蝕刻第一子層(EP1)的第一材料和第三子層(EP3)的第三材料。