[發(fā)明專利]氧化物濺射膜、氧化物濺射膜的制造方法、氧化物燒結(jié)體和透明樹脂基板

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880088250.1
• 申請(qǐng)日: 2018-12-20
• 公開（公告）號(hào): CN111670263A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 桑原正和;仁藤茂生
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 住友金屬礦山株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C23C14/08
• 分類號(hào): C23C14/08;C04B35/457;C23C14/34
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 陳彥;胡玉美

1.一種氧化物濺射膜，其特征在于，其為含有Zn與Sn的非晶質(zhì)透明的具有水蒸氣阻隔性能或氧阻隔性能的氧化物濺射膜，

所述Zn與Sn的金屬原子數(shù)比的Sn/(Zn+Sn)為0.18以上0.29以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物濺射膜，所述氧化物濺射膜的膜厚為100nm以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物濺射膜，所述氧化物濺射膜進(jìn)一步含有Ta和Ge，

所述Ta與Zn、Sn、Ge的金屬原子數(shù)比的Ta/(Zn+Sn+Ge+Ta)為0.01以下，

所述Ge與Zn、Sn、Ta的金屬原子數(shù)比的Ge/(Zn+Sn+Ge+Ta)為0.04以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物濺射膜，依據(jù)JIS標(biāo)準(zhǔn)的K7129法并通過(guò)指定的壓差法獲得的水蒸氣透過(guò)率，在所述氧化物濺射膜的膜厚為50～100nm時(shí)，為0.005g/m²/day以下，在所述氧化物濺射膜的膜厚小于50nm時(shí)，為0.009g/m²/day以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物濺射膜，依據(jù)JIS標(biāo)準(zhǔn)的K7126法并通過(guò)指定的壓差法獲得的氧透過(guò)率，在所述氧化物濺射膜的膜厚為50～100nm時(shí)，為0.05cc/m²/day/atm以下，在所述氧化物濺射膜的膜厚小于50nm時(shí)，為0.09cc/m²/day/atm以下。

6.一種氧化物燒結(jié)體，其特征在于，其為用于通過(guò)濺射法來(lái)成膜出權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的氧化物濺射膜的Sn-Zn-O系的氧化物燒結(jié)體，

所述氧化物燒結(jié)體中含有的Zn與Sn的金屬原子數(shù)比的Sn/(Zn+Sn)為0.18以上0.29以下。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氧化物燒結(jié)體，所述氧化物燒結(jié)體進(jìn)一步含有Ta和Ge，

所述Ta與Zn、Sn、Ge的金屬原子數(shù)比的Ta/(Zn+Sn+Ge+Ta)為0.01以下，

所述Ge與Zn、Sn、Ta的金屬原子數(shù)比的Ge/(Zn+Sn+Ge+Ta)為0.04以下。

8.一種氧化物濺射膜的制造方法，其特征在于，其為使用由Sn-Zn-O系的氧化物燒結(jié)體構(gòu)成的靶材進(jìn)行濺射，獲得含有Zn與Sn的非晶質(zhì)透明的具有水蒸氣阻隔性能或氧阻隔性能的膜的氧化物濺射膜的制造方法，

所述濺射時(shí)使用的所述氧化物燒結(jié)體中含有的Zn與Sn的金屬原子數(shù)比的Sn/(Zn+Sn)為0.18以上0.29以下。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的氧化物濺射膜的制造方法，所述氧化物濺射膜的膜厚為100nm以下。

10.一種透明樹脂基板，其特征在于，其為在透明基材上成膜出含有Zn與Sn的非晶質(zhì)透明的具有水蒸氣阻隔性能或氧阻隔性能的氧化物濺射膜而得的透明樹脂基板，

所述氧化物濺射膜在所述基材的至少一個(gè)面成膜，

所述Zn與Sn的金屬原子數(shù)比的Sn/(Zn+Sn)為0.18以上0.29以下，所述氧化物濺射膜的膜厚為100nm以下。