[發(fā)明專利]電觸點(diǎn)及使用該電觸點(diǎn)的真空閥有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880088239.5 | 申請(qǐng)日： | 2018-07-13 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111670261B | 公開（公告）日： | 2021-11-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 谷原康友;千葉原宏幸;道念大樹;越智聰;糸谷孝行 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三菱電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01H33/664 | 分類號(hào)： | H01H33/664 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 胡秋瑾;宋俊寅 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 觸點(diǎn) 使用 真空 | ||
1.一種電觸點(diǎn)，該電觸點(diǎn)包含：
相對(duì)于100原子％的Cu固溶有多于0原子％且在10原子％以下的Mn的母材、
分散地配置于所述母材中的金屬粒子和該金屬的碳化物粒子中的至少一種高熔點(diǎn)物質(zhì)粒子、以及
包含X原子且分散地配置于所述母材中的金屬間化合物，其中X為Te或Se，
該電觸點(diǎn)的特征在于，
所述金屬是選自W、Ta、Cr、Mo、Nb、Ti和V中的至少一種金屬，
所述高熔點(diǎn)物質(zhì)粒子的粒徑在該高熔點(diǎn)物質(zhì)粒子的維氏硬度在0Hv以上且低于200Hv時(shí)在0.1μm以上且在100μm以下、在該高熔點(diǎn)物質(zhì)粒子的維氏硬度在200Hv以上時(shí)在0.1μm以上且在10μm以下，
將整體設(shè)為100質(zhì)量％時(shí)，
所述高熔點(diǎn)物質(zhì)粒子在20質(zhì)量％以上且在80質(zhì)量％以下，
所述X原子在1.5質(zhì)量％以上且在15質(zhì)量％以下，
余分為所述母材，并且
所述金屬間化合物包含MnX化合物以及Mn-Cu固溶相與X的化合物，
Mn/(Mn+X)的原子量比在20原子％以上且在80原子％以下。
2.如權(quán)利要求1所述的電觸點(diǎn)，其特征在于，所述Mn-Cu固溶相與X的化合物的組成是(Mn,Cu)X和(Mn,Cu)2X中的至少一方。
3.如權(quán)利要求1或2所述的電觸點(diǎn)，其特征在于，所述母材還包含5原子％的MnO。
4.一種真空閥，該真空閥具備：
固定電極、
與該固定電極接觸或脫離該固定電極的可動(dòng)電極、以及
將所述固定電極和所述可動(dòng)電極保持在真空中的切斷室，
該真空閥的特征在于，
分別設(shè)置于所述固定電極和所述可動(dòng)電極的接觸部的固定電觸點(diǎn)和可動(dòng)電觸點(diǎn)中的至少一方使用權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的電觸點(diǎn)。
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