[發明專利]半導體裝置以及電力變換裝置

有效

• 申請號: 201880087286.8
• 申請日: 2018-12-03
• 公開（公告）號: CN111630401B
• 公開（公告）日: 2022-09-16
• 發明（設計）人: 伊藤悠策;中松佑介;富澤淳
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: G01R31/58
• 分類號: G01R31/58;G01R31/26;H01L23/49;H02M7/48
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 金春實

1.一種半導體裝置，具備：

絕緣基板；

半導體元件，搭載于所述絕緣基板上，在表面具有表面電極；

第1導體圖案，形成于所述絕緣基板上，流過所述半導體元件的主電流；

第2導體圖案，形成于所述絕緣基板上，用于檢測所述半導體元件的所述表面電極的電位；

第1鍵合導線，連接所述表面電極和所述第1導體圖案；

第2鍵合導線，連接所述表面電極和所述第2導體圖案；

電壓檢測部，與所述第1導體圖案及所述第2導體圖案連接，檢測所述半導體元件進行開關時的所述第1導體圖案與所述第2導體圖案之間的電壓差；以及

劣化探測部，使用所述檢測的所述電壓差來探測所述第1鍵合導線的劣化。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述電壓檢測部檢測由所述第1鍵合導線的電感分量引起的所述電壓差。

3.根據權利要求1或者2所述的半導體裝置，其中，

所述劣化探測部具備基準電壓生成部和比較器，用所述比較器比較所述電壓差和由所述基準電壓生成部生成的基準電壓，在所述電壓差超過所述基準電壓的情況下，輸出報錯信號。

4.根據權利要求1或者2所述的半導體裝置，其中，

具有多個所述半導體元件，所述多個半導體元件相對所述第1導體圖案并聯連接。

5.根據權利要求1或者2所述的半導體裝置，其中，

具有多個所述半導體元件，所述多個半導體元件相對所述第1導體圖案串聯連接。

6.根據權利要求1或者2所述的半導體裝置，其中，

所述表面電極和所述第1導體圖案經由連接有所述第1鍵合導線以及第3鍵合導線的第3導體圖案連接，

所述電壓檢測部檢測所述第1導體圖案與所述第3導體圖案之間的電壓差以及所述第2導體圖案與所述第3導體圖案之間的電壓差。

7.一種電力變換裝置，具備：

主變換電路，具有權利要求1至6中的任意一項所述的半導體裝置，該主變換電路變換輸入的電力并輸出；以及

控制電路，將控制所述主變換電路的控制信號輸出給所述主變換電路。