[發明專利]基板處理方法及基板處理裝置

在審

• 申請號: 201880087065.0
• 申請日: 2018-12-21
• 公開（公告）號: CN111630635A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 東克榮;菅原雄二;竹松佑介;石川友也
• 申請（專利權）人: 株式會社斯庫林集團
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/306
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍;焦成美

基板處理方法，其是向形成有圖案的基板表面供給藥液而對基板進行處理的方法，所述基板處理方法包括：基板保持工序，對基板進行保持；藥液供給工序，向基板的至少前述表面供給前述藥液；低導電性液體供給工序，在前述藥液供給工序之前，為了對基板進行除電，向基板的前述表面供給導電性比前述藥液低的低導電性液體；以及高導電性液體供給工序，在前述低導電性液體供給工序之前，為了對基板進行除電，不向基板的前述表面而向基板中與前述表面相反側的背面供給導電性低于前述藥液且高于前述低導電性液體的高導電性液體。

技術領域

本發明涉及對基板表面進行處理的基板處理方法及基板處理裝置。成為處理對象的基板包括例如半導體晶片、液晶顯示裝置用基板、有機EL(electroluminescence，電致發光)顯示裝置等FPD(FlatPanel Display，平板顯示器)用基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等。

背景技術

在半導體裝置的制造工序中，例如逐片地對基板進行處理的單片式基板處理裝置具備：處理腔室；旋轉夾頭，在處理腔室內大致水平地保持基板并使該基板旋轉；以及噴嘴，用于向利用該旋轉夾頭而使之旋轉的基板表面(形成有圖案(器件)的面)排出藥液。

在使用這樣的基板處理裝置的基板處理中，例如從噴嘴朝向旋轉狀態的基板表面的例如中央部排出藥液。被供給至基板表面的中央部的藥液受到因基板旋轉而產生的離心力，在基板表面上朝向周緣流動，而遍布至基板表面的整個區域。由此，對基板表面的整個區域實施采用藥液進行的處理。

被搬入至處理腔室的基板有時因其前工序(離子注入、干蝕刻)而在基板表面蓄積電荷(即帶電)。若在被搬入至處理腔室的基板表面蓄積電荷，則來自噴嘴的藥液向基板表面著液時，基板表面與藥液接觸而在基板表面發生急劇的電荷變化，有可能在藥液的著液位置或其附近發生靜電放電(電弧放電)。其結果，存在圖案(器件)被破壞或圖案穿孔等在基板表面產生局部缺陷的情況。

為此，在下述專利文獻1中可知：為了防止在藥液供給開始時于基板表面發生靜電放電，而在開始供給藥液前向基板表面供給電導率比藥液低的除電液(例如碳酸水)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：美國專利申請公開第2009/211610號說明書

發明內容

發明要解決的課題

但是，有時被搬入至處理腔室的基板的帶電量多。對于使用碳酸水的除電而言，由于電荷移動快，因此在碳酸水向基板著液時會隨著基板表面與碳酸水的接觸而發生靜電放電。

另外，為了使基板的帶電量緩慢地下降，還考慮向基板表面供給電導率比碳酸水低的除電液(例如DIW(去離子水))、并在該供給后向基板表面供給碳酸水。但是，在基板的帶電量多的情況下，還有可能即便向基板表面供給DIW也發生靜電放電。

即，需要抑制或防止向基板供給藥液所伴隨的靜電放電的發生、同時還抑制或防止向基板供給除電液(碳酸水、DIW)所伴隨的靜電放電的發生。換言之，需要抑制或防止向基板供給液體所伴隨的靜電放電的發生。

為此，本發明的目的在于提供能夠抑制或防止向基板表面供給液體所伴隨的靜電放電的發生、從而能夠抑制或防止于基板表面產生局部缺陷的基板處理方法及基板處理裝置。

用于解決課題的手段