[發明專利]用于光伏器件的層結構和包括其的光伏器件

在審

• 申請號: 201880086779.X
• 申請日: 2018-11-15
• 公開（公告）號: CN111656534A
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發明（設計）人: 陳樂;J.郭;D.維斯
• 申請（專利權）人: 第一陽光公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/073;H01L31/18
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 童春媛;彭昶

1.一種用于光伏器件的層結構，所述層結構包括：

包括氧化錫銦的透明導電氧化物層；

鄰近透明導電氧化物層的氧化錫銦的二氧化錫層；和

鄰近二氧化錫層的氧化鎂鋅層，其中氧化鎂鋅層為氧化鋅和氧化鎂的合金。

2.權利要求1的層結構，其中合金包含比氧化鎂更多的氧化鋅。

3.權利要求2的層結構，其中合金中氧化鋅與氧化鎂之比大于2:1。

4.權利要求1的層結構，其中二氧化錫為本征二氧化錫。

5.權利要求1的層結構，其中二氧化錫層的厚度小于約150nm。

6.權利要求1的層結構，其中氧化鎂鋅層的厚度小于約100nm。

7.權利要求6的層結構，其中二氧化錫層的厚度大于或等于氧化鎂鋅層的厚度。

8.權利要求7的層結構，其中二氧化錫層的厚度與氧化鎂鋅層的厚度之比在約1和約15之間。

9.權利要求7的層結構，其中二氧化錫層的厚度和氧化鎂鋅層的厚度之和小于或等于約200nm。

10.權利要求1的層結構，其中二氧化錫層鄰近透明導電氧化物層的氧化錫銦。

11.權利要求1的層結構，其中透明導電氧化物層中銦與錫之比大于約3:2。

12.一種光伏器件，所述光伏器件包括：

包括氧化錫銦的透明導電氧化物層；

在透明導電氧化物層的氧化錫銦上布置的二氧化錫層；

鄰近二氧化錫層的氧化鎂鋅層，其中氧化鎂鋅層為氧化鋅和氧化鎂的合金；和

在氧化鎂鋅層上布置的吸收層，其中吸收層包括鎘、碲、硒或其任何組合。

13.權利要求12的吸收層，其中吸收層包括鎘、硒和碲的三元材料。

14.權利要求12的吸收層，其中吸收層包含在吸收層中平均原子濃度小于約6 x 10^-17個原子/cm³的擴散量的銦。

15.權利要求1和12至14中任一項的層結構或光伏器件，其中合金包含比氧化鎂更多的氧化鋅。

16.權利要求1和12至15中任一項的層結構或光伏器件，其中合金中氧化鋅與氧化鎂之比大于2:1。

17.權利要求1和12至16中任一項的層結構或光伏器件，其中二氧化錫為本征二氧化錫。

18.權利要求1和12至17中任一項的層結構或光伏器件，其中二氧化錫層的厚度小于約150nm。

19.權利要求1和12至18中任一項的層結構或光伏器件，其中氧化鎂鋅層的厚度小于約100nm。

20.權利要求1和12至19中任一項的層結構或光伏器件，其中二氧化錫層的厚度大于或等于氧化鎂鋅層的厚度。

21.權利要求1和12至20中任一項的層結構或光伏器件，其中二氧化錫層的厚度與氧化鎂鋅層的厚度之比在約1和約15之間。

22.權利要求1和12至21中任一項的層結構或光伏器件，其中二氧化錫層的厚度和氧化鎂鋅層的厚度之和小于或等于約200nm。