[發明專利]用于存儲器決策反饋均衡器的電壓校正計算有效
| 申請號: | 201880086688.6 | 申請日: | 2018-09-12 |
| 公開(公告)號: | CN111615730B | 公開(公告)日: | 2021-07-27 |
| 發明(設計)人: | 吳俊;潘棟 | 申請(專利權)人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | G11C7/10 | 分類號: | G11C7/10 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 王龍 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 存儲器 決策 反饋 均衡器 電壓 校正 計算 | ||
一種裝置包含:第一端子,其經配置以接收參考電壓;第二端子,其經配置以接收經加權分接頭值;本地產生器電路,其經配置以基于所述參考電壓及所述經加權分接頭值而形成不帶正負號電壓校正值群組;及正負號配置電路,其經配置以從所述本地產生器電路接收所述不帶正負號電壓校正值群組且將極性指派給所述不帶正負號電壓校正值群組中的每一相應不帶正負號電壓校正值,從而依據所述不帶正負號電壓校正值群組形成校正信號。所述裝置還包含經配置以將所述校正信號發射到處理電路的第一輸入的輸出,其中所述處理電路經配置以至少基于控制信號而使用所述校正信號來抵消來自數據流的對失真位的符號間干擾。
技術領域
本發明的實施例一般來說涉及半導體存儲器裝置的領域。更具體來說,本發明的實施例涉及使用半導體存儲器裝置的決策反饋均衡器(DFE)電路來校正所發射信號中的失真。
背景技術
存儲器裝置的操作速率(包含存儲器裝置的數據速率)隨時間在不斷增加。作為存儲器裝置的速度增加的副作用,歸因于失真的數據誤差可增加。舉例來說,可發生所發射數據之間的符號間干擾,先前所接收數據借此影響當前所接收數據(例如,先前所接收數據影響且干擾隨后所接收數據)。用以校正此干擾的一種方式是通過使用決策反饋均衡器(DFE)電路,所述決策反饋均衡器(DFE)電路可經編程以抵消(即,取消、緩解或抵消)信道對所發射數據的效應。
另外,校正所發射信號中的失真仍然是重要的。然而,常規失真校正技術不可充分地校正信號的失真。由常規失真校正技術的緩慢過程產生的誤差導致最終數據的額外失真,因此降低在存儲器裝置內發射的數據的可靠性。
發明內容
描述了一種半導體存儲器裝置。在一些示例中,所述半導體存儲器裝置包括:第一端子,其經配置以接收參考電壓;第二端子,其經配置以接收經加權分接頭值;本地產生器電路,其經配置以基于所述參考電壓及所述經加權分接頭值而形成不帶正負號電壓校正值群組;正負號配置電路,其經配置以:從所述本地產生器電路接收所述不帶正負號電壓校正值群組;且將極性指派給所述不帶正負號電壓校正值群組中的每一相應不帶正負號電壓校正值,從而依據所述不帶正負號電壓校正值群組形成校正信號;及輸出,其經配置以將所述校正信號發射到處理電路的第一輸入,其中所述處理電路經配置以至少部分地基于控制信號而使用所述校正信號來抵消來自數據流的對失真位的符號間干擾。
描述了一種半導體存儲器裝置。在一些示例中,所述半導體存儲器裝置包括:第一組合電路,其包括:第一輸入,其經配置以接收參考信號,其中所述參考信號經配置以表示將在抵消來自數據流的對失真位的符號間干擾時使用的最小值;第二輸入,其經配置以接收第一不帶正負號經加權分接頭信號,其中所述第一不帶正負號經加權分接頭信號經配置以表示用以與所述參考信號組合以抵消來自所述數據流的由第一先前位對所述失真位的所述符號間干擾的第一抵消值;及第一輸出,其經配置以基于所述參考信號及所述第一不帶正負號經加權分接頭信號而發射多個不帶正負號位失真校正值;及第二組合電路,其包括:第三輸入,其經配置以接收所述多個不帶正負號位失真校正值;第四輸入,其經配置以接收選擇信號,其中所述選擇信號經配置以從所述多個不帶正負號位失真校正值選擇所述多個不帶正負號位失真校正值的子集;及第二輸出,其經配置以發射所述多個不帶正負號位失真校正值的所述子集。
描述了一種用于校正所發射信號中的失真的方法。在一些示例中,所述方法包括:基于經加權分接頭的特定電壓權重的絕對值而產生多個電壓值;產生多個失真校正因子,其中所述多個失真校正因子中的每一失真校正因子包括所述多個電壓值中的相應電壓值及從正負號配置電路為所述相應電壓值所指派的一極性;經由選擇電路選擇所述多個失真校正因子中基于位流的經設定數目個先前所接收位的特定位序列而確定的失真校正因子;將所述失真校正因子發射到鎖存元件;將失真位發射到所述鎖存元件;及經由所述鎖存元件至少部分地基于所述失真校正因子及所述失真位而產生所述失真位的經修改值。
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