[發明專利]支撐片及保護膜形成用復合片在審
| 申請號： | 201880086327.1 | 申請日： | 2018-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN111587472A | 公開（公告）日： | 2020-08-25 |
| 發明（設計）人： | 佐伯尚哉;古野健太 | 申請（專利權）人： | 琳得科株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/301 | 分類號： | H01L21/301;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人： | 張晶;敖蓮 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 支撐 保護膜 形成 復合 | ||
【權利要求書】：
1.一種支撐片，其具備基材，且在所述基材上具備粘著劑層，其中，
所述基材的所述粘著劑層側的面為凹凸面，
從所述支撐片的5處切取試驗片，并分別求出這5片試驗片中的粘著劑層的厚度的最小值及最大值時，所述最小值的平均值為1.5μm以上，所述最大值的平均值為9μm以下。
2.根據權利要求1所述的支撐片，其中，所述粘著劑層與所述基材的凹凸面直接接觸。
3.一種保護膜形成用復合片，其在權利要求1或2所述的支撐片中的粘著劑層上具備保護膜形成用膜。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
