[發明專利]經配置以提供外部經調節電壓的存儲器裝置

在審

• 申請號: 201880085701.6
• 申請日: 2018-08-22
• 公開（公告）號: CN111566736A
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發明（設計）人: M·A·布萊瑟;T·H·金斯利
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14;G11C11/4074;G11C5/04
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本發明揭示存儲器裝置、包含存儲器裝置的系統以及操作存儲器裝置及系統的方法，其中存儲器裝置可包含電壓調節器，其用于將供應電壓調整為輸出電壓且將所述輸出電壓提供到所述存儲器裝置外部的其它裝置(例如，在同一存儲器系統中的其它存儲器裝置、處理器、圖形芯片組、其它邏輯電路、擴展卡等)。一種存儲器裝置可包括：一或多個外部輸入，其經配置以接收具有第一電壓電平的供應電壓；電壓調節器，其經配置以從所述一或多個外部輸入接收所述供應電壓且輸出具有不同于所述第一電壓電平的第二電壓電平的輸出電壓；一或多個存儲器，其經配置以從所述電壓調節器接收所述輸出電壓；及一或多個外部輸出，其經配置以將所述輸出電壓供應到一或多個經連接裝置。

相關申請案的交叉參考

本申請案主張于2018年2月26日提出申請的美國臨時申請案第62/635,429號的權益，所述美國臨時申請案的全文以引用方式并入本文中。

技術領域

本發明一般來說涉及存儲器裝置，且更特定來說涉及經配置以提供外部經調節電壓的存儲器裝置。

背景技術

存儲器裝置廣泛用于存儲與各種電子裝置(例如計算機、無線通信裝置、相機、數字顯示器等等)相關的信息。通過對存儲器單元的不同狀態進行編程來存儲信息。存在各種類型的存儲器裝置，包含磁性硬盤、隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態RAM(DRAM)、同步動態RAM(SDRAM)及其它存儲器。存儲器裝置可為易失性或非易失性的。改進存儲器裝置一般來說可包含增加存儲器單元密度、增加讀取/寫入速度或以其它方式減少操作延時、增加可靠性、增加數據保留、減少電力消耗或減少制造成本及其它度量。

附圖說明

圖1是根據本發明技術的實施例的示意性地圖解說明存儲器裝置的簡化框圖。

圖2到9是根據本發明技術的各種實施例的示意性地圖解說明存儲器裝置的簡化框圖。

圖10到12是根據本發明的各種實施例的示意性地圖解說明存儲器系統的簡化框圖。

圖13及14是根據本發明技術的各種實施例的圖解說明用于操作存儲器系統的方法的流程圖。

具體實施方式

存儲器裝置可利用具有窄電壓公差的電力供應電勢(例如，在(例如)1.1V等等的低電壓下)。在存儲器模塊內部而不是在主機裝置外部產生用于存儲器的經嚴密控制的電力供應電勢可降低主機裝置(例如，母板)制造商的成本。由于存儲器模塊可能并非僅是連接到母板以利用這些及類似經嚴密控制的電勢的裝置，因此本發明技術的數個實施例針對存儲器裝置、包含存儲器裝置的系統以及操作存儲器裝置及系統的方法，其中存儲器裝置可包含電壓調節器(例如，電力管理集成電路)，其用于將供應電壓調整為輸出電壓且將所述輸出電壓提供到所述存儲器裝置外部的其它裝置(例如，同一存儲器系統中的其它存儲器裝置、非存儲器裝置(例如處理器)、圖形芯片組、其它邏輯電路、擴展卡等)。

圖1是根據本發明技術的實施例的示意性地圖解說明存儲器裝置100的框圖。存儲器裝置100可包含存儲器單元陣列，例如存儲器陣列150。存儲器陣列150可包含多個庫(例如，圖1的實例中的庫0到15)，且每一庫可包含多個字線(WL)、多個位線(BL)及布置于字線與位線的交叉點處的多個存儲器單元。對字線WL的選擇可由行解碼器140執行，且對位線BL的選擇可由列解碼器145執行。可為對應位線BL提供感測放大器(SAMP)且可將其連接到至少一個相應本地I/O線對(LIOT/B)，所述本地I/O線對(LIOT/B)繼而可經由可用作開關的傳送門(TG)耦合到至少一個相應主I/O線對(MIOT/B)。