[發明專利]保護膜形成用復合片及其制造方法有效
| 申請號: | 201880084834.1 | 申請日: | 2018-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN111542912B | 公開(公告)日: | 2023-10-13 |
| 發明(設計)人: | 佐伯尚哉;古野健太 | 申請(專利權)人: | 琳得科株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/301 | 分類號: | H01L21/301;H01L21/56;H01L23/00 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 張晶;謝順星 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 保護膜 形成 復合 及其 制造 方法 | ||
1.一種保護膜形成用復合片,其具有具備基材且在所述基材上具備粘著劑層的支撐片,并在所述支撐片中的粘著劑層上具備保護膜形成用膜,所述保護膜形成用復合片中,
所述基材的所述粘著劑層側的面為凹凸面,
從所述保護膜形成用復合片的5處切取試驗片,并分別求出這5片試驗片的粘著劑層的基材側的面中的凸部的最高部位與凹部的最深部位之間的最大高低差、及保護膜形成用膜的粘著劑層側的面中的凸部的最高部位與凹部的最深部位之間的最大高低差時,所述粘著劑層的基材側的面的最大高低差的平均值為1~7μm,且所述保護膜形成用膜的粘著劑層側的面的最大高低差的平均值為2μm以下。
2.根據權利要求1所述的保護膜形成用復合片,其中,所述粘著劑層與所述基材的凹凸面直接接觸。
3.一種權利要求1所述的保護膜形成用復合片的制造方法,其包括:
準備依次具備基材、粘著劑層及第一剝離膜,且所述基材的所述粘著劑層側的面為凹凸面的第一層疊片,及依次具備第三剝離膜、保護膜形成用膜及第二剝離膜的層疊膜的工序;
將所述第一層疊片及所述層疊膜中的任意一者或兩者在53~75℃下保存24~720小時的工序;
將所述第一剝離膜及第二剝離膜去除,貼合所述粘著劑層的露出面與所述保護膜形成用膜的露出面,制造依次具備所述基材、所述粘著劑層、所述保護膜形成用膜及所述第三剝離膜的第二層疊片的工序;及
將所述第二層疊片在53~75℃下保存24~720小時的工序,
在53~75℃下、以0.3~0.8MPa的壓力邊按壓邊進行貼合所述粘著劑層的露出面與所述保護膜形成用膜的露出面的工序。
4.根據權利要求3所述的制造方法,其中,所述第一層疊片、所述層疊膜及所述第二層疊片分別為長條的層疊片或層疊膜,并在所述保存工序中,卷取成卷狀而進行保存。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





