[發明專利]應變片

有效

• 申請號: 201880084755.0
• 申請日: 2018-10-30
• 公開（公告）號: CN111542727B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 淺川壽昭;丹羽真一;高田真太郎
• 申請（專利權）人: 美蓓亞三美株式會社
• 主分類號: G01B7/16
• 分類號: G01B7/16;C23C14/06
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;樸秀玉

1.一種應變片，具有：

樹脂制的基材，具有可撓性；

功能層，由金屬、合金、或金屬的化合物直接形成在所述基材的一個表面上；

電阻體，在所述功能層的一個表面上由Cr、CrN、及Cr₂N進行相混合而成的膜形成；及

防氧化層，覆蓋構成所述電阻體的上表面的非氧化面，并使所述電阻體的側面露出，

其中，所述防氧化層被圖案化為與所述電阻體相同的平面形狀，所述電阻體以α－Cr為主成分，

所述功能層具有促進所述α－Cr的晶體生長從而形成以所述α－Cr為主成分的膜的功能。

2.如權利要求1所述的應變片，具有：

一對端子部，從所述電阻體的兩個端部延伸，

其中，

所述電阻體為在平面圖中從所述一對端子部中的一個呈之字狀折返并延伸從而與所述一對端子部中的另一個連接的形狀，

所述防氧化層被圖案化為，以與所述形狀相同的平面形狀覆蓋所述非氧化面。

3.如權利要求1或2所述的應變片，其中，

所述基材為樹脂制，

所述電阻體由Cr、CrN、及Cr₂N進行相混合而成的膜形成。

4.如權利要求3所述的應變片，其中，

所述防氧化層的材料為Ti。

5.如權利要求4所述的應變片，其中，

所述防氧化層的厚度為1nm～100nm。

6.如權利要求3所述的應變片，其中，

所述防氧化層的材料為TiN。

7.如權利要求6所述的應變片，其中，

所述防氧化層的厚度為1nm～10nm。

8.一種應變片，具有：

樹脂制的基材，具有可撓性；

功能層，由金屬、合金、或金屬的化合物直接形成在所述基材的一個表面上；

電阻體，在所述功能層的一個表面上由Cr、CrN、及Cr₂N進行相混合而成且擴散有所述功能層中包含的元素的膜形成；及

防氧化層，覆蓋構成所述電阻體的上表面的非氧化面，并使所述電阻體的側面露出，

其中，

應變系數為10以上，

所述防氧化層被圖案化為與所述電阻體相同的平面形狀，所述電阻體以α－Cr為主成分，

所述功能層具有促進所述α－Cr的晶體生長從而形成以所述α－Cr為主成分的膜的功能。

9.一種應變片，具有：

樹脂制的基材，具有可撓性；

功能層，由金屬、合金、或金屬的化合物直接形成在所述基材的一個表面上；

電阻體，在所述功能層的一個表面上由Cr、CrN、及Cr₂N進行相混合而成且擴散有所述功能層中包含的元素的膜形成；及

防氧化層，覆蓋構成所述電阻體的上表面的非氧化面，并使所述電阻體的側面露出，

其中，

電阻溫度系數位于－1000ppm/℃～+1000ppm/℃的范圍內，

所述防氧化層被圖案化為與所述電阻體相同的平面形狀，

所述電阻體以α－Cr為主成分，

所述功能層具有促進所述α－Cr的晶體生長從而形成以所述α－Cr為主成分的膜的功能。