[發明專利]靜電卡盤裝置在審
| 申請號: | 201880083446.1 | 申請日: | 2018-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN111512428A | 公開(公告)日: | 2020-08-07 |
| 發明(設計)人: | 金原勇貴;早原龍二;石村和典;河野仁 | 申請(專利權)人: | 住友大阪水泥股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/205;H01L21/3065;H02N13/00 |
| 代理公司: | 上海立群專利代理事務所(普通合伙) 31291 | 代理人: | 楊楷;毛立群 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 卡盤 裝置 | ||
本發明提供一種靜電卡盤裝置,其具備:靜電卡盤部,具有載置板狀試樣的載置面作為一主面,且具備靜電吸附用電極;基底部,相對于靜電卡盤部,配置于與載置面相反的一側,且冷卻靜電卡盤部;加熱器,層狀地配置于靜電卡盤部與基底部之間、或靜電卡盤部的內部;及粘接層,將靜電卡盤部與基底部粘接使其一體化,在靜電卡盤部中設有第1貫穿孔,在基底部中設有與第1貫穿孔連通的第2貫穿孔,在粘接層中設有與第1貫穿孔及第2貫穿孔連通的第3貫穿孔,在第2貫穿孔中固定有筒狀的絕緣子,絕緣子的靜電卡盤部側的頂端隔開空間而與靜電卡盤部分離。
技術領域
本發明涉及一種靜電卡盤裝置。
本申請主張基于2017年12月28日于日本提出申請的日本專利申請2017-253791號的優先權,將其內容援用于此。
背景技術
以往,在半導體制造裝置中,使用有將晶片或玻璃基板等板狀試樣固定于卡盤面(載置面)的靜電卡盤裝置。靜電卡盤裝置具備具有靜電吸附機構的靜電卡盤部、冷卻靜電卡盤部的溫度調節用基底部及將靜電卡盤部與基底部粘接的粘接層。
作為這種靜電卡盤裝置,已知有具有與靜電卡盤部及基底部連通而設置的貫穿孔的結構。這種貫穿孔例如容納用于使經靜電卡盤裝置保持的板狀試樣自載置面脫離的銷。并且,貫穿孔用于將用于冷卻板狀試樣的冷卻氣體排出至載置面。
這些貫穿孔中,為了提高靜電卡盤裝置的耐電壓而配置有絕緣套管(絕緣子)(例如專利文獻1)。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2004-31665號公報
發明內容
發明要解決的技術課題
如上所述的靜電卡盤裝置為了抑制保持于載置面的板狀試樣的加工不均,要求在等離子體加工等加工時將板狀試樣的溫度在面內控制得均勻。然而,關于具有貫穿孔的靜電卡盤裝置,已知靜電卡盤部的形成有貫穿孔的位置比未形成有貫穿孔的位置更容易冷卻,其結果,所保持的板狀試樣在面內容易產生溫度差。因此,要求能夠降低板狀試樣的面內溫度差的靜電卡盤裝置。
本發明是鑒于這種情況而完成的,其目的在于提供一種能夠降低板狀試樣的面內溫度差的新穎結構的靜電卡盤裝置。
用于解決技術課題的手段
為了解決上述課題,作為本發明的第一方式,提供一種靜電卡盤裝置,其具備:靜電卡盤部,具有載置板狀試樣的載置面作為一主面,且具備靜電吸附用電極;基底部,相對于所述靜電卡盤部,配置于與所述載置面相反的一側,且冷卻所述靜電卡盤部;加熱器,層狀地配置于所述靜電卡盤部與所述基底部之間、或靜電卡盤部的內部;及粘接層,將所述靜電卡盤部與所述基底部粘接使其一體化,在所述靜電卡盤部中設有第1貫穿孔,在所述基底部中設有與所述第1貫穿孔連通的第2貫穿孔,在所述粘接層中設有與所述第1貫穿孔及第2貫穿孔連通的第3貫穿孔,在所述第2貫穿孔中固定有筒狀的絕緣子,所述絕緣子的所述靜電卡盤部側的頂端隔開空間而與所述靜電卡盤部分離。
本發明的第一方式優選具有以下特征。也優選將以下特征彼此組合。
本發明的第一方式中,也可設為下述結構:所述基底部在所述靜電卡盤部側的面設有與所述第2貫穿孔連通且直徑大于所述第2貫穿孔的沉孔。
本發明的第一方式中,也可設為下述結構:所述第3貫穿孔的直徑大于所述第1貫穿孔的直徑。
本發明的第一方式中,也可設為下述結構:所述加熱器具有俯視觀察時包圍所述第1貫穿孔的周圍而形成的帶狀的第1部位、及比所述第1部位更遠離所述第1貫穿孔而形成的帶狀的第2部位,所述第1部位與所述第2部位連續,所述第1部位的寬度比所述第2部位的寬度更窄。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





