[發(fā)明專(zhuān)利]非易失性存儲(chǔ)器器件和空白檢查方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880082902.0
• 申請(qǐng)日: 2018-12-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111512373A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-08-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J·樸;S·謝蒂;約拉姆·比特森;阿米凱·吉萬(wàn)特;喬納斯·尼奧;帕萬(wàn)·辛格;斯特凡諾·阿馬托;辛迪·孫;阿米爾·洛奇曼
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 賽普拉斯半導(dǎo)體公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C7/06
• 分類(lèi)號(hào): G11C7/06;G11C7/22;G11C16/26;G11C16/28;G11C16/34;G11C11/56
• 代理公司: 北京安信方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262
• 代理人: 周靖;楊明釗

1.一種用于操作存儲(chǔ)器器件的方法，其中，所述存儲(chǔ)器器件包括多個(gè)互補(bǔ)存儲(chǔ)器單元，每個(gè)互補(bǔ)存儲(chǔ)器單元包括真值晶體管和互補(bǔ)晶體管，所述方法包括：

檢測(cè)所述真值晶體管和所述互補(bǔ)晶體管各自的狀態(tài)值；

產(chǎn)生上限狀態(tài)值，其中，第一預(yù)定量的所述真值晶體管和所述互補(bǔ)晶體管具有比所述上限狀態(tài)值大的狀態(tài)值；

產(chǎn)生下限狀態(tài)值，其中，第二預(yù)定量的所述真值晶體管和所述互補(bǔ)晶體管具有比所述下限狀態(tài)值小的狀態(tài)值；

基于所述上限狀態(tài)值和所述下限狀態(tài)值之間的差，產(chǎn)生狀態(tài)值范圍；以及

將所述狀態(tài)值范圍與閾值進(jìn)行比較，以確定所述多個(gè)互補(bǔ)存儲(chǔ)器單元是處于空白狀態(tài)還是非空白狀態(tài)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，同一互補(bǔ)存儲(chǔ)器單元的所述真值晶體管和所述互補(bǔ)晶體管的狀態(tài)值用于確定所述同一互補(bǔ)存儲(chǔ)器單元的二元狀態(tài)，并且其中所述二元狀態(tài)代表已編程狀態(tài)或已擦除狀態(tài)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述狀態(tài)值是所述多個(gè)互補(bǔ)存儲(chǔ)器單元的所述真值晶體管和所述互補(bǔ)晶體管的閾值電壓，并且所述閾值是電壓值。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述狀態(tài)值是所述多個(gè)互補(bǔ)存儲(chǔ)器單元的所述真值晶體管和所述互補(bǔ)晶體管的單元電流，并且所述閾值是電流值。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述單元電流是通過(guò)向所述真值晶體管和所述互補(bǔ)晶體管的柵極施加預(yù)定電壓來(lái)產(chǎn)生的。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

對(duì)所述多個(gè)互補(bǔ)存儲(chǔ)器單元的所述真值晶體管和所述互補(bǔ)晶體管中的至少兩個(gè)的狀態(tài)值進(jìn)行排序。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一預(yù)定量和所述第二預(yù)定量中的至少一個(gè)代表百分比。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一預(yù)定量和所述第二預(yù)定量中的至少一個(gè)代表自然數(shù)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述閾值是可編程的，并且基于以下參數(shù)中的至少一個(gè)進(jìn)行更新：所述多個(gè)互補(bǔ)存儲(chǔ)器單元的電荷損失、使用壽命、陣列周期計(jì)數(shù)、以及壽命開(kāi)始或壽命結(jié)束的狀態(tài)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，產(chǎn)生所述上限狀態(tài)值和所述下限狀態(tài)值包括對(duì)所述真值晶體管和所述互補(bǔ)晶體管的狀態(tài)值執(zhí)行二分搜索。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，當(dāng)所述狀態(tài)值范圍大于所述閾值時(shí)，所述多個(gè)互補(bǔ)存儲(chǔ)器單元被確定為處于所述非空白狀態(tài)，并且其中當(dāng)所述狀態(tài)值范圍小于所述閾值時(shí)，所述多個(gè)互補(bǔ)存儲(chǔ)器單元被確定為處于所述空白狀態(tài)。

12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，還包括：

將所述下限狀態(tài)值與單元電流參數(shù)進(jìn)行比較，其中，當(dāng)所述下限狀態(tài)值小于所述單元電流參數(shù)時(shí)，所述多個(gè)互補(bǔ)存儲(chǔ)器單元被確定為處于所述非空白狀態(tài)。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

所述空白狀態(tài)指示所述多個(gè)互補(bǔ)存儲(chǔ)器單元的所有的所述真值晶體管和所述互補(bǔ)晶體管都處于已擦除狀態(tài)；并且

所述非空白狀態(tài)指示所述多個(gè)互補(bǔ)存儲(chǔ)器單元的所述真值晶體管和所述互補(bǔ)晶體管的一半處于所述已擦除狀態(tài)，并且其中所述多個(gè)互補(bǔ)存儲(chǔ)器單元的所述真值晶體管和所述互補(bǔ)晶體管的另一半處于已編程狀態(tài)。