[發(fā)明專利]用于處理容器的設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880081320.0 | 申請日: | 2018-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN111479764B | 公開(公告)日: | 2022-02-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 海科·茹爾凱斯庫;約亨·克呂格爾;邁克爾·諾伊鮑爾 | 申請(專利權(quán))人: | 克朗斯股份公司 |
| 主分類號: | B65G47/64 | 分類號: | B65G47/64;B65G54/02 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人: | 潘小軍;賈翼鷗 |
| 地址: | 德國諾伊*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 處理 容器 設(shè)備 | ||
一種用于處理容器的設(shè)備,其包括容器處理站(1)、運輸軌道(2)和用于容納至少一個容器(4)的載體元件(3),載體元件能夠經(jīng)由運輸元件(5a、5b)沿著運輸軌道(2)運動,其中,運輸軌道(2)的部段(2a)如下這樣地構(gòu)成,即,使其能夠與載體元件(3)一起運動,從而通過部段(2a)的運動能夠?qū)⑷菁{在載體元件(3)上的容器(4)引入到容器處理站(1)中以進行容器處理,并且本發(fā)明還涉及用于處理容器的方法。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及用于處理容器的設(shè)備和用于處理容器的方法。
背景技術(shù)
公知的是,容器在典型的線性的運輸軌道上被引向各個容器處理站和從各個容器處理站被引出,在那里,容器被處理。這樣的運輸軌道例如由DE 10 2013 218 403 A1和DE10 2011 078 555 A1、以及WO 2015/036196 A2所公知。
在這樣的運輸軌道,例如由于復(fù)雜的編程或容器的轉(zhuǎn)移和轉(zhuǎn)移返回,使得垂直于運輸方向(或垂直于運輸軌道的方向)的運動典型是困難的,這可能導(dǎo)致附加的步驟和停滯時間。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的任務(wù)是改善上述問題中的一個或多個。
本發(fā)明包括根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備、以及根據(jù)本發(fā)明的方法。
待處理的容器可以是例如飲料容器和/或用于其他目的、例如化妝品或其他液體或糊狀產(chǎn)品的容器,尤其地,容器可以包括由玻璃、PET或其他塑料制成的瓶子和/或例如由金屬制成的罐。
用于處理容器的設(shè)備包括容器處理站。
典型的容器處理站可以包括例如用于清潔、沖洗、干燥或填充容器的站、用于利用等離子體(例如用于等離子體滅菌或其他等離子體處理的等離子體腔室)處理容器的設(shè)備、用于加載直接印刷的站、涂覆站或其他的容器處理站或構(gòu)造為它們。涂覆站通常被構(gòu)建為涂覆腔室,其借助密封件相對于大氣壓力被氣密地密封。這些密封件可以具有任意的型廓,并且在其密封表面上具有彈性的材料。彈性的材料尤其可以是橡膠、硅樹脂或類似物。因此,可以施加過壓以及負(fù)壓。因此,將容器引入到涂覆腔室中,產(chǎn)生相應(yīng)期望的環(huán)境壓力(優(yōu)選是相對于大氣壓的負(fù)壓),并且隨后將涂覆腔室中的容器在外和/或在內(nèi)地對容器表面進行涂覆。涂覆腔室包含細(xì)長的桿狀的元件、尤其是噴槍。優(yōu)選地,涂覆腔室具有開口。優(yōu)選地,可流動的介質(zhì)可以通過這些開口被導(dǎo)入到容器中。優(yōu)選地,可流動的介質(zhì)是適用于等離子體流程的氣體。有利地,該氣體可以是由含硅的前體和氧氣構(gòu)成的混合物,尤其是用于利用氧化硅進行的PECVD(=plasma enhanced Chemical vapor deposition(等離子體增強化學(xué)氣相沉積))。然而,也能想到其他氣體,例如用于沉積所謂的DLC層的乙炔。針對等離子體滅菌可以例如將氬氣和水蒸氣導(dǎo)入到容器中。優(yōu)選地,氣體經(jīng)由剛剛描述的噴槍置入,該噴槍其本身具有用于在容器和/或腔室中將氣體進行期望的分布的開口。
有利地,該氣體被均勻地分布在瓶內(nèi)部中。
有利地,涂覆腔室用作用于等離子體產(chǎn)生的電極。然后,可以經(jīng)由該處理裝置以高頻形式將用于點燃等離子體的能量耦入到系統(tǒng)中。
優(yōu)選地,涂覆腔室具有第二電極。該電極可以有利地位于容器外部,但是有利地也可以位于容器內(nèi)部。該第二電極可以有利地接地或有利地以浮動方式與第一電極連接。
根據(jù)有利的實施方式,兩個電極布置在容器的區(qū)域中。如果存在用于導(dǎo)入氣體的噴槍,則兩個電極優(yōu)選布置在噴槍中和/或其上和/或其周圍。
在替選的優(yōu)選實施方式中,可以取消將涂覆腔室用作用于等離子體產(chǎn)生的電極。有利地,這樣的實施方式具有用于產(chǎn)生電磁場的設(shè)備。有利地,該設(shè)備適用于產(chǎn)生電磁場,該電磁場適用于在所導(dǎo)入的氣體中點燃等離子體。該產(chǎn)生的電磁場可以是例如高頻場,但是例如也可以是微波。有利地,該設(shè)備位于容器外部。因此優(yōu)選地,電磁場從容器外部輻射到容器中。
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