[發(fā)明專利]鐵電組合件及形成鐵電組合件的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880081034.4
• 申請(qǐng)日: 2018-12-04
• 公開（公告）號(hào): CN111492479A
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 艾伯特·廖;曼札拉·西迪克
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): H01L27/11502
• 分類號(hào): H01L27/11502;H01L27/11585;H01L49/02;H01L29/66
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種鐵電組合件，其包括：

鐵電絕緣材料上方的金屬氧化物；所述金屬氧化物具有小于或等于約的厚度；及

所述金屬氧化物上方的含金屬電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合件，其中所述金屬氧化物是具有在從約1個(gè)單層到約的范圍內(nèi)的厚度的連續(xù)層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合件，其中所述金屬氧化物是不連續(xù)膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合件，其是鐵電電容器。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合件，其是鐵電隧道結(jié)裝置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合件，其是鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

7.一種電容器，其包括：

第一電極與第二電極之間的鐵電絕緣材料；及

所述第二電極的至少一部分與所述鐵電絕緣材料之間的金屬氧化物；所述金屬氧化物具有小于或等于約的厚度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電容器，其中所述金屬氧化物是具有在從約1個(gè)單層到約的范圍內(nèi)的厚度的連續(xù)層。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電容器，其中所述金屬氧化物是不連續(xù)膜。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電容器，其中所述電容器由含半導(dǎo)體基底支撐；且其中所述第一電極是底部電極且所述第二電極是頂部電極，其中所述底部電極比所述頂部電極更靠近基底。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電容器，其中所述金屬氧化物是具有在從約1個(gè)單層到約的范圍內(nèi)的厚度的連續(xù)層。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電容器，其中所述金屬氧化物是不連續(xù)膜。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電容器，其中所述金屬氧化物由含金屬材料構(gòu)成，所述含金屬材料具有延伸穿過(guò)其的氧濃度梯度，其中所述氧濃度沿著與所述第二電極的界面最高而沿著與所述第二電極的界面最低。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電容器，其中所述金屬氧化物本質(zhì)上由氧以及鈦、鋁、釕、鈮及鉭中的一或多者組成。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電容器，其中所述金屬氧化物本質(zhì)上由氧化鈦組成。

16.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電容器，其是存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的多個(gè)基本上相同的電容器中的一者。

17.一種電容器，其包括：

第一電極與第二電極之間的鐵電絕緣材料；及

所述第二電極的至少一部分與所述鐵電絕緣材料之間的含金屬材料；所述含金屬材料具有小于或等于約的厚度；所述含金屬材料包含氧以及鈦、鋁、釕、鈮及鉭中的一或多者。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電容器，其中所述電容器由含半導(dǎo)體基底支撐；且其中所述第一電極是底部電極且所述第二電極是頂部電極，其中所述底部電極比所述頂部電極更靠近基底。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的電容器，其中所述含金屬材料包含一或多種氮、碳、硅及鍺。

20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的電容器，其中所述含金屬材料包含鈦及氧。

21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電容器，其中所述第一電極及所述第二電極包括氮化鈦。

22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電容器，其是存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的多個(gè)基本上相同的電容器中的一者。