[發明專利]靜電放電保護的半導體光電倍增器有效
| 申請號： | 201880080995.3 | 申請日： | 2018-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN111480096B | 公開（公告）日： | 2023-09-29 |
| 發明（設計）人： | P·M·戴利;J·C·杰克遜;B·P·麥加維;S·J·貝里斯 | 申請（專利權）人： | 森斯爾科技有限公司 |
| 主分類號： | G01T1/24 | 分類號： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 北京市中倫律師事務所 11410 | 代理人： | 楊黎峰;魏奇 |
| 地址： | 愛爾蘭*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 靜電 放電 保護 半導體 光電 倍增器 | ||
1.一種半導體光電倍增器，所述半導體光電倍增器包括：
多個微單元，所述多個微單元位于襯底上并具有至少一個端子，其中所述微單元中的大部分是偽微單元；和
至少一個ESD保護元件，所述至少一個ESD保護元件可操作地耦接到所述至少一個端子，其中所述至少一個ESD保護元件不是光敏的。
2.根據權利要求1所述的半導體光電倍增器，其中所述微單元被布置為兩個或更多個離散陣列，每個陣列具有獨立的端子。
3.根據權利要求2所述的半導體光電倍增器，其中每個端子可操作地耦接到對應的ESD保護元件。
4.根據權利要求1所述的半導體光電倍增器，其中所述至少一個ESD保護元件中的每個被定位成使得其不接收光。
5.一種半導體光電倍增器，所述半導體光電倍增器包括：
多個微單元，所述多個微單元位于襯底上并具有至少一個端子，其中所述微單元中的至少一些包括光電探測器二極管，其中所述微單元中的大部分是偽微單元；和
至少一個ESD保護元件，所述至少一個ESD保護元件可操作地耦接到所述至少一個端子，其中所述至少一個ESD保護元件中的每個是ESD保護二極管，
其中所述ESD保護二極管為第一類型，而所述光電探測器二極管為第二類型，所述第一類型具有第一尺寸的有源區域，并且所述第二類型具有第二尺寸的有源區域，并且所述第一尺寸小于所述第二尺寸。
6.根據權利要求5所述的半導體光電倍增器，其中所述ESD保護二極管是雪崩二極管。
7.一種半導體光電倍增器，所述半導體光電倍增器包括：
多個微單元，所述多個微單元位于襯底上并具有至少一個端子，其中所述微單元中的至少一些包括光電探測器二極管，其中所述微單元中的大部分是偽微單元；和
至少一個ESD保護元件，所述至少一個ESD保護元件可操作地耦接到所述至少一個端子，其中所述至少一個ESD保護元件中的每個是ESD保護二極管，
其中所述ESD保護二極管的有源區域的摻雜分布不同于所述光電探測器二極管的有源區域的摻雜分布，使得所述ESD保護二極管的擊穿電壓高于所述光電探測器二極管的擊穿電壓。
8.一種半導體光電倍增器，所述半導體光電倍增器包括：
多個微單元，所述多個微單元位于襯底上并具有至少一個端子，其中所述微單元中的至少一些包括光電探測器二極管，其中所述微單元中的大部分是偽微單元；和
至少一個ESD保護元件，所述至少一個ESD保護元件可操作地耦接到所述至少一個端子，其中所述至少一個ESD保護元件中的每個是ESD保護二極管，
其中所述ESD保護二極管的有源區域的摻雜分布不同于所述光電探測器二極管的有源區域的摻雜分布，使得所述ESD保護二極管的擊穿電壓低于所述光電探測器二極管的擊穿電壓。
9.根據權利要求8所述的半導體光電倍增器，其中所述ESD保護二極管具有比所述光電探測器二極管的結限定更高曲率的結。
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