[發(fā)明專利]Cu-Ga合金濺射靶及Cu-Ga合金濺射靶的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880080335.5
• 申請日: 2018-12-18
• 公開（公告）號: CN111492091A
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 森曉;武田拓真
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱綜合材料株式會(huì)社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;B22F3/10;C22C1/04;C22C1/05;C22C9/00;H01L31/0749
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 刁興利;康泉

1.一種Cu-Ga合金濺射靶，其特征在于，

具有如下組成：作為金屬成分，以20原子％以上且40原子％以下的范圍含有Ga，并且以合計(jì)0.05原子％以上且1.0原子％以下的范圍含有Na及K，剩余部分由Cu及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成，

在Cu-Ga合金的母相中分散有由鈉鹽或鉀鹽構(gòu)成的堿金屬鹽粒子，

所述堿金屬鹽粒子的最大粒徑設(shè)為30μm以下，

所述Cu-Ga合金濺射靶的相對密度設(shè)為97％以上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Cu-Ga合金濺射靶，其特征在于，

在多個(gè)部位測量密度，求出密度的最大值ρ_max、密度的最小值ρ_min及密度的平均值ρ_ave，且將|ρ_max-ρ_ave|及|ρ_ave-ρ_min|中較大的值設(shè)為ρ_A時(shí)，

以ρ_A/ρ_ave×100所定義的密度的偏差設(shè)為平均值ρ_ave的5％以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的Cu-Ga合金濺射靶，其特征在于，

在多個(gè)部位測量Na含量，經(jīng)測量的Na含量的最大值與Na含量的平均值之差及Na含量的平均值與Na含量的最小值之差均為0.05原子％以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的Cu-Ga合金濺射靶，其特征在于，

在多個(gè)部位測量K含量，經(jīng)測量的K含量的最大值與K含量的平均值之差及K含量的平均值與K含量的最小值之差均為0.05原子％以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的Cu-Ga合金濺射靶，其特征在于，

氧含量設(shè)為1000質(zhì)量ppm以下。

6.一種Cu-Ga合金濺射靶的制造方法，其特征在于，其為制造根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的Cu-Ga合金濺射靶的方法，所述Cu-Ga合金濺射靶的制造方法包括：

原料粉末形成工序，獲得包含鈉鹽粉末及鉀鹽粉末的原料粉末；

成型體形成工序，形成所述原料粉末的成型體；

還原工序，在還原氣氛中加熱所述成型體而進(jìn)行還原處理；及

燒結(jié)工序，將所述還原工序后的成型體在常壓下進(jìn)行燒結(jié)，

所述還原工序中的加熱溫度設(shè)在550℃以上且650℃以下的范圍內(nèi)，加熱溫度下的保持時(shí)間設(shè)在15小時(shí)以上且60小時(shí)以下的范圍內(nèi)，

所述燒結(jié)工序中的燒結(jié)溫度設(shè)在750℃以上且850℃以下的范圍內(nèi)，燒結(jié)溫度下的保持時(shí)間設(shè)在1小時(shí)以上且10小時(shí)以下的范圍內(nèi)。