[發(fā)明專利]光耦合器以及光放大器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880080111.4
• 申請日: 2018-12-17
• 公開（公告）號: CN111492545A
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高坂繁弘;前田幸一
• 申請（專利權(quán)）人: 古河電氣工業(yè)株式會社
• 主分類號: H01S3/067
• 分類號: H01S3/067;G02B6/26
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 劉文海

目的在于提供有助于光放大器的激發(fā)效率的提升的光耦合器以及光放大器。光耦合器具備：主光纖，其具備傳輸信號光的芯部、形成于芯部的外周且折射率比芯部低的內(nèi)側(cè)包層部、以及形成于內(nèi)側(cè)包層部的外周且折射率比內(nèi)側(cè)包層部低的外側(cè)包層部，所述主光纖在長度方向上的一部分被去除了外側(cè)包層部；以及至少一根激發(fā)光輸入輸出用光纖，其與主光纖的被去除了外側(cè)包層部的部分中的內(nèi)側(cè)包層部熔融連接，且其與內(nèi)側(cè)包層部接觸的接觸區(qū)域的平均折射率比內(nèi)側(cè)包層部的折射率大，在激發(fā)光輸入輸出用光纖中傳輸?shù)募ぐl(fā)光從接觸區(qū)域與內(nèi)側(cè)包層部耦合而在內(nèi)側(cè)包層部中傳輸，或者在內(nèi)側(cè)包層部中傳輸了的激發(fā)光從接觸區(qū)域與激發(fā)光輸入輸出用光纖耦合而在激發(fā)光輸入輸出用光纖中傳輸。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光耦合器以及光放大器。

背景技術(shù)

例如，在海底光通信等用途中，通過使用多芯EDFA(Erbium-Doped optical FiberAmplifier)作為光放大器，而期待削減光放大器的消耗電力。

作為多芯EDFA，已知有使用雙包層型的多芯EDF并通過包層激發(fā)方式對芯部所包含的光放大介質(zhì)即鉺(Er)進行光激發(fā)的結(jié)構(gòu)(參照非專利文獻1、2)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

非專利文獻

非專利文獻1：Kazi S Abedin et al，“Multimode Erbium Doped FiberAmplifiers for Space Division Multiplexing Systems”，JOURNAL OF LIGHTWAVETECHNOLOGY，VOL.32，NO.16，AUGUST 15，2014 pp.2800-2808.

非專利文獻2：Kazi S Abedin et al，“Cladding-pumped erbium-dopedmulticore fiber amplifier”，OPTICS EXPRESS Vol.20，No.18 27 August2012PP.20191-20200.

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的課題

在光放大器中，從消耗電力的削減的觀點等出發(fā)希望激發(fā)效率的提升。在此，激發(fā)效率以光放大了的信號光的功率與激發(fā)光的功率之比表示。即，激發(fā)效率越高，則即使是相同的激發(fā)光功率，信號光功率也變大。激發(fā)光功率中的無助于信號光的光放大的部分例如變換為熱量而被廢棄。特別是，EDF與包含其他光放大介質(zhì)即鐿(Yb)的YDF、包含鉺和鐿的EYDF相比激發(fā)效率較低，因此希望更進一步的提升激發(fā)效率。

本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，目的在于提供有助于光放大器的激發(fā)效率的提升的光耦合器以及使用了該光耦合器的光放大器。

用于解決課題的方案

為了解決上述的課題并達成目的，本發(fā)明的一方案所涉及的光耦合器的特征在于，所述光耦合器具備：主光纖，其至少具備傳輸信號光的芯部、形成于所述芯部的外周且折射率比所述芯部低的內(nèi)側(cè)包層部、及形成于所述內(nèi)側(cè)包層部的外周且折射率比所述內(nèi)側(cè)包層部低的外側(cè)包層部，所述主光纖在長度方向上的一部分被去除了所述外側(cè)包層部；以及至少一根激發(fā)光輸入輸出用光纖，其與所述主光纖的被去除了所述外側(cè)包層部的部分中的所述內(nèi)側(cè)包層部熔融連接，并且其與所述內(nèi)側(cè)包層部接觸的接觸區(qū)域的平均折射率比所述內(nèi)側(cè)包層部的折射率大，在所述激發(fā)光輸入輸出用光纖中傳輸?shù)募ぐl(fā)光從所述接觸區(qū)域與所述內(nèi)側(cè)包層部耦合而在所述內(nèi)側(cè)包層部中傳輸，或者在所述內(nèi)側(cè)包層部中傳輸了的所述激發(fā)光從所述接觸區(qū)域與所述激發(fā)光輸入輸出用光纖耦合而在所述激發(fā)光輸入輸出用光纖中傳輸。

本發(fā)明的一方案所涉及的光耦合器的特征在于，所述激發(fā)光輸入輸出用光纖的所述接觸區(qū)域的平均折射率相對于所述內(nèi)側(cè)包層部的折射率的相對折射率差為0.05％以上。

本發(fā)明的一方案所涉及的光耦合器的特征在于，具備多個所述激發(fā)光輸入輸出用光纖。