[發明專利]聚合物、有機層組成物及形成圖案的方法

有效

• 申請號: 201880079125.4
• 申請日: 2018-09-17
• 公開（公告）號: CN111542558B
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發明（設計）人: 鄭鉉日;金瑆煥;金昇炫;樸裕信;樸惟廷;辛乘旭;林栽范
• 申請（專利權）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: C08G61/12
• 分類號: C08G61/12;C09D183/04;G03F7/11;G03F7/09;H01L21/027;H01L21/033
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬爽;臧建明

本公開是有關于一種聚合物、包含所述聚合物的有機膜組成物以及使用所述有機膜組成物形成圖案的方法，其中所述聚合物包括由化學式1表示的結構單元、以及由化學式2或3表示的結構單元?；瘜W式1至3的定義與在說明書中的描述相同。[化學式1]；[化學式2]；[化學式3]

技術領域

本公開涉及一種新穎聚合物、包含所述聚合物的有機層組成物以及使用所述有機層組成物形成圖案的方法。

背景技術

近來，半導體產業已發展至具有幾納米至幾十納米大小的圖案的超細技術。此種超細技術本質上需要有效的微影技術(lithographic?techniques)。

典型的微影技術包括：在半導體基板上提供材料層；在上面涂布光致抗蝕劑層；對所述光致抗蝕劑層進行曝光及顯影以提供光致抗蝕劑圖案；以及使用所述光致抗蝕劑圖案作為遮罩對所述材料層進行蝕刻。

當前，根據待形成的圖案的小型化，僅通過上述典型的微影技術難以提供具有優異輪廓的精細圖案。因此，可在材料層與光致抗蝕劑層之間形成被稱為硬遮罩層的層以提供精細圖案。

硬遮罩層發揮中間層的作用以通過選擇性蝕刻制程而將光致抗蝕劑的精細圖案轉移至材料層。因此，所述硬遮罩層需要具有例如耐熱性及抗蝕刻性等特性以便耐受多重蝕刻制程。

另一方面，近來已提議旋涂(spin-on?coating)法替代化學氣相沉積(chemicalvapor?deposition，CVD)方法來形成硬遮罩層。旋涂法不僅可輕易地執行且亦可改善間隙填充特性及平坦化特性。

應用于旋轉涂布方法的硬遮罩組成物一般可包括具有最大化碳含量的樹脂，以增大蝕刻選擇性。在此種情形中，由于樹脂在主要用于半導體的溶劑中因減小的溶解度而不發生溶解，因此硬遮罩組成物可能難以在旋涂法中進行涂布。為了解決此問題，傳統上已提議另一種具有更佳可溶性的溶劑，但所述溶劑可能氣味不好或使涂布均勻性劣化。此外，當減小碳含量以增大溶解度時，存在降低抗蝕刻性的問題。因此，需要一種有機層組成物材料，所述有機層組成物材料改善存儲穩定性，增強溶解度以便使用主要用于半導體制程的溶劑，并且使碳含量最大化。

發明內容

[技術問題]

實施例提供一種新穎的聚合物，所述新穎的聚合物具有改善的抗蝕刻性及層密度，同時確保溶解度及存儲穩定性。

另一實施例提供一種包含所述聚合物的有機層組成物。

再一實施例提供一種使用所述有機層組成物形成圖案的方法。

[技術方案]

根據實施例，提供一種聚合物，所述聚合物包括由化學式1表示的結構單元、以及由化學式2或化學式3表示的結構單元。

[化學式1]

[化學式2]

[化學式3]

在化學式1至化學式3中，

A為由化學式X表示的部分，

B為經取代或未經取代的C6至C30芳族環基團，

Ar¹及Ar²獨立地為經取代或未經取代的苯環或其稠環，

m為介于0至5范圍內的整數，且

*為連接點，

[化學式X]

其中，在化學式X中，