[發(fā)明專利]發(fā)光裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880078841.0
• 申請日: 2018-11-28
• 公開（公告）號: CN111448726B
• 公開（公告）日: 2023-04-04
• 發(fā)明（設計）人: 廣瀬和義;黑坂剛孝;瀧口優(yōu);杉山貴浩
• 申請（專利權）人: 浜松光子學株式會社
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦

1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，

是沿主面的法線方向以及相對于所述法線方向傾斜的傾斜方向的至少任一者的方向輸出形成光學圖像的光的發(fā)光裝置，

具備：

基板，其具有所述主面；

發(fā)光部，其設置于所述基板上；

相位調制層，其在與所述發(fā)光部光學耦合的狀態(tài)下設置于所述基板上，且包含基本層、以及具有與所述基本層的折射率不同的折射率的多個不同折射率區(qū)域，

在正交于所述法線方向的所述相位調制層的設計面上，所述多個不同折射率區(qū)域根據(jù)用于形成所述光學圖像的配置圖案，配置于所述基本層中的規(guī)定位置，

所述多個不同折射率區(qū)域的各個具有由面對所述主面的第一面、相對于所述第一面位于所述主面的相反側的第二面、以及連接所述第一面和所述第二面的側面規(guī)定的立體形狀，

在所述立體形狀中，所述第一面、所述第二面以及所述側面中的至少任一者包含相對于所述主面傾斜的部分，

所述多個不同折射率區(qū)域分別是由所述基本層和與所述基本層接觸的一個或一個以上的層規(guī)定的密閉空間，

所述第一面的至少一部分相對于所述第二面傾斜。

2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述多個不同折射率區(qū)域分別是由所述基本層和與所述基本層接觸的一個或一個以上的層規(guī)定的密閉空間，

在所述相位調制層的所述設計面上，所述多個不同折射率區(qū)域分別具有沿所述設計面上的第一方向的寬度沿與所述第一方向交叉的第二方向逐漸減小的平面形狀。

3.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

在所述相位調制層的所述設計面上，所述多個不同折射率區(qū)域分別以與假想的正方晶格的任一晶格點一對一對應的方式配置，

并且在構成所述假想的正方晶格的晶格點中的所述多個不同折射率區(qū)域所關聯(lián)的多個有效晶格點中，連結任意的特定晶格點與關聯(lián)于所述特定晶格點的特定不同折射率區(qū)域的重心的線段、與連結相對于所述特定晶格點以最短距離鄰接的多個周邊晶格點和分別關聯(lián)于所述多個周邊晶格點的多個周邊不同折射率區(qū)域的重心的各個線段平行。

4.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

在所述相位調制層的所述設計面上，所述多個不同折射率區(qū)域分別以與假想的正方晶格的任一晶格點一對一對應的方式配置，

并且在構成所述假想的正方晶格的晶格點中的所述多個不同折射率區(qū)域所關聯(lián)的多個有效晶格點中，連結任意的特定晶格點和關聯(lián)于所述特定晶格點的特定不同折射率區(qū)域的重心的線段、與連結除了所述特定晶格點的其余的有效晶格點和分別關聯(lián)于所述其余的有效晶格點的其余的不同折射率區(qū)域的各個線段平行。

5.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

發(fā)光部是設置于所述基板上的活性層。

6.一種發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，

是權利要求1～5中任一項所述的發(fā)光裝置的制造方法，

包含：

第一工序，其在所述基板上設置所述基本層；以及

第二工序，其通過干蝕刻，將應當成為所述多個不同折射率區(qū)域的多個空位或凹部形成于所述基本層，

在所述第二工序中，干蝕刻從相對于所述法線方向傾斜的方向對所述基本層施加蝕刻反應氣體。

7.一種發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，

是權利要求1～5中任一項所述的發(fā)光裝置的制造方法，

包含：

第一工序，其在所述基板上設置所述基本層；

第二工序，其通過干蝕刻，將應當成為所述多個不同折射率區(qū)域的多個空位或凹部形成于所述基本層；以及

第三工序，其將堵塞形成于所述基本層的所述多個空位或凹部的開口部分的蓋層形成于所述基本層上，

在所述第三工序中，用于形成所述蓋層的原料氣體從相對于所述法線方向傾斜的方向施加于所述基本層。

8.根據(jù)權利要求7所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，

用于形成所述多個空位或凹部的蝕刻反應氣體被供給的方向與所述原料氣體被供給的方向不同。