[發(fā)明專利]有機(jī)EL顯示裝置及有機(jī)EL顯示裝置的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880078805.4
• 申請日: 2018-03-28
• 公開（公告）號: CN111937159A
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 岸本克彥
• 申請（專利權(quán)）人: 堺顯示器制品株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334
• 代理人: 王娟

1.一種有機(jī)EL顯示裝置，其特征在于，具備：

基板，其具有形成包含薄膜晶體管的驅(qū)動電路的表面；

平坦化膜，其通過覆蓋所述驅(qū)動電路使所述基板的所述表面平坦化；以及

有機(jī)發(fā)光元件，其形成于所述平坦化膜的表面上，并與所述驅(qū)動電路電連接，

所述平坦化膜包含層疊于所述驅(qū)動電路上的第一無機(jī)絕緣膜、層疊于所述第一無機(jī)絕緣膜上的有機(jī)絕緣膜以及層疊于所述有機(jī)絕緣膜上的第二無機(jī)絕緣膜，

所述第二無機(jī)絕緣膜的朝向與所述有機(jī)絕緣膜的相反方向的表面具有50nm以下的算術(shù)平均粗糙度。

2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)EL顯示裝置，其特征在于，所述第二無機(jī)絕緣膜的所述表面具有20nm以上50nm以下的算術(shù)平均粗糙度。

3.如權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)EL顯示裝置，其特征在于，所述有機(jī)絕緣膜為不包含感光體的丙烯酸樹脂，或不包含感光體的聚酰亞胺樹脂。

4.如權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示裝置，其特征在于，所述有機(jī)絕緣膜的朝向所述第二無機(jī)絕緣膜的表面具有100nm以上300nm以下的算術(shù)平均粗糙度。

5.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)EL顯示裝置，其特征在于，所述有機(jī)絕緣膜包含有含有比率為0.5質(zhì)量％以上，5質(zhì)量％以下的添加劑，所述添加劑使所述有機(jī)絕緣膜的所述表面的平坦性提高。

6.如權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示裝置，其特征在于，所述驅(qū)動電路和所述有機(jī)發(fā)光元件經(jīng)由金屬連接，所述金屬被埋入同時(shí)貫穿所述第一無機(jī)絕緣膜、所述有機(jī)絕緣膜及所述第二無機(jī)絕緣膜的接觸孔。

7.如權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示裝置，其特征在于，所述第二無機(jī)絕緣膜的厚度基于所述有機(jī)絕緣膜的朝向所述第二無機(jī)絕緣膜的表面的凹凸變動，且為所述有機(jī)絕緣膜的所述表面的整個(gè)表面上的所述凹凸的最大高低差的一倍以上三倍以下。

8.一種有機(jī)EL顯示裝置的制造方法，其特征在于，具備：

在基板上形成包含薄膜晶體管的驅(qū)動電路的工序、

在所述驅(qū)動電路的表面上形成第一無機(jī)絕緣膜、有機(jī)絕緣膜及第二無機(jī)絕緣膜的工序、

將所述第二無機(jī)絕緣膜的表面研磨的工序、

在所述第二無機(jī)絕緣膜、所述有機(jī)絕緣膜及所述第一無機(jī)絕緣膜上形成到達(dá)所述驅(qū)動電路的接觸孔的工序、

將金屬埋入所述接觸孔的內(nèi)部并在規(guī)定區(qū)域形成第一電極的工序、

在所述第一電極上形成有機(jī)發(fā)光層的工序、

在所述有機(jī)發(fā)光層上形成第二電極的工序。

9.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法，其特征在于，在所述第二無機(jī)絕緣膜的所述表面的研磨中，通過CMP研磨將所述第二無機(jī)絕緣膜的所述表面研磨至50nm以下的算術(shù)平均粗糙度，所述CMP研磨將包含鈰、膠體二氧化硅或氣相法二氧化硅的中性的料漿作為研磨劑使用。

10.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法，其特征在于，在所述第二無機(jī)絕緣膜的所述表面的研磨中，將所述第二無機(jī)絕緣膜的所述表面研磨至20nm以上50nm以下的算術(shù)平均粗糙度。

11.如權(quán)利要求9或10所述的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法，其特征在于，在所述第二無機(jī)絕緣膜的所述表面的研磨中，將中性的醇液與所述研磨劑一起使用來研磨所述第二無機(jī)絕緣膜的所述表面。

12.如權(quán)利要求8～11任一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法，其特征在于，

在所述第二無機(jī)絕緣膜的形成中，以所述有機(jī)絕緣膜的朝向所述第二無機(jī)絕緣膜的表面的凹凸的最大高低差的兩倍以上的厚度來形成所述第二無機(jī)絕緣膜，

在所述第二無機(jī)絕緣膜的所述表面的研磨中，研磨所述第二無機(jī)絕緣膜，以使得由所述研磨導(dǎo)致的所述第二無機(jī)絕緣膜的厚度的減少量至少部分地為所述最大高低差的一倍以上且小于所述最大高低差的兩倍。