[發(fā)明專利]電聲諧振器裝置及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880078689.6 | 申請日： | 2018-12-03 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111434036A | 公開（公告）日： | 2020-07-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | M·希克;B·巴德 | 申請（專利權(quán)）人： | RF360歐洲有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào)： | H03H9/02 | 分類號(hào)： | H03H9/02;H03H9/10;H03H9/17;H03H3/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 張寧 |
| 地址： | 德國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電聲 諧振器 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種電聲諧振器裝置，包括：
襯底(100)；
底部電極(121)、頂部電極(122)和壓電層(130)，所述壓電層被設(shè)置在所述底部電極和所述頂部電極之間；
布拉格鏡元件(110)，被設(shè)置在所述底部電極和所述襯底之間；以及
導(dǎo)熱材料，包括非晶態(tài)氮化鋁和多晶氮化鋁(150、151、155)之一，其中所述導(dǎo)熱材料接觸所述壓電層和所述襯底。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電聲諧振器裝置，其中所述導(dǎo)熱材料(151)進(jìn)一步被設(shè)置在所述布拉格鏡元件(110)的底部側(cè)壁與所述襯底(100)之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電聲諧振器裝置，還包括：覆蓋被設(shè)置在所述頂部電極之上的腔(160)的包覆層(165)；以及覆蓋所述包覆層的密封層(165)，其中所述導(dǎo)熱材料(155)進(jìn)一步被設(shè)置在所述密封層之上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電聲諧振器裝置，其中所述導(dǎo)熱材料(150)進(jìn)一步被設(shè)置在所述壓電層(130)與所述包覆層(165)的下端(1652)和所述密封層(166)的下端(1661)中的至少一個(gè)之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的電聲諧振器裝置，其中所述導(dǎo)熱材料(150、151、155)以連續(xù)材料的形式延伸，所述連續(xù)材料與所述頂部電極和所述底部電極(121、122)的表面中的每一個(gè)、所述布拉格鏡元件(110)以及所述密封層和所述包覆層(165、166)接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的電聲諧振器裝置，其中通孔(201)被包括在所述導(dǎo)熱材料(155)中，并且由導(dǎo)電材料制成的至少一個(gè)凸塊(202)被設(shè)置在所述通孔的上端處，所述至少一個(gè)凸塊連接到所述頂部電極和所述底部電極(122)中的一個(gè)，以提供到所述電聲諧振器裝置的外部的電端子。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的電聲諧振器裝置，所述布拉格鏡(110)元件包括電介質(zhì)材料(111)和兩層或更多層的另一材料(112、113)，所述兩層或更多層的另一材料(112、113)的聲阻抗高于所述電介質(zhì)材料的聲阻抗，其中具有較高聲阻抗的所述兩層或更多層的另一材料(112、113)彼此間隔開，其中所述電介質(zhì)材料(111)被設(shè)置在具有較高聲阻抗的所述另一材料之間，所述電介質(zhì)材料具有側(cè)壁(113)，所述側(cè)壁(113)在與所述襯底(100)成橫向的方向上延伸，其中所述電介質(zhì)材料的所述側(cè)壁接觸所述導(dǎo)熱材料(150)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電聲諧振器裝置，其中所述布拉格鏡元件的具有較高聲阻抗的所述另一材料(112、113)包括金屬，并且所述電介質(zhì)材料(113)包括氮化鋁。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的電聲諧振器裝置，還包括被設(shè)置在所述頂部電極的頂部上、用于調(diào)整、修整和鈍化中的至少一項(xiàng)的非晶態(tài)氮化鋁和多晶氮化鋁(125)之一的層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電聲諧振器裝置，包括：
第一非晶態(tài)氮化鋁層(151)，被設(shè)置在所述襯底(100)上；
所述布拉格鏡元件(110)疊層，被設(shè)置在所述第一非晶態(tài)氮化鋁層(151)上；
底部電極(121)，被設(shè)置在所述布拉格鏡元件上；
第二非晶態(tài)氮化鋁層(150)，被設(shè)置為圍繞所述布拉格鏡元件的側(cè)壁(113)；
被設(shè)置在所述底部電極(121)上的所述壓電層(130)以及被設(shè)置在所述壓電層上的所述頂部電極(122)；
第三非晶態(tài)氮化鋁層(150)，被設(shè)置為圍繞所述頂部電極(122)的側(cè)壁；
被設(shè)置在所述頂部電極(122)之上的腔(160)和被設(shè)置在所述腔之上的包覆層(165)和密封層(166)；
第四非晶態(tài)氮化鋁層(155)，被設(shè)置為圍繞所述密封層的側(cè)壁并且被設(shè)置在所述密封層的所述側(cè)壁上。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于RF360歐洲有限責(zé)任公司，未經(jīng)RF360歐洲有限責(zé)任公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201880078689.6/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
