[發明專利]用于將顆粒材料噴射到液體金屬熔池中的方法

在審

• 申請號: 201880078317.3
• 申請日: 2018-12-06
• 公開（公告）號: CN111542620A
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發明（設計）人: 安德魯·卡梅倫
• 申請（專利權）人: 林德有限責任公司
• 主分類號: C21C5/30
• 分類號: C21C5/30;C21C5/46;C21C7/00;C21C7/068
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 周家新

1.一種借助于噴槍將顆粒材料噴射到液體金屬熔池中的方法，所述噴槍包括軸向固體噴射管，

-其中所述液體金屬熔池包含待氧化的物質，

-其中所述顆粒材料借助于第一氣體料流被攜帶到所述液體熔池，并且其中具有所述顆粒材料的所述第一氣體料流穿透到所述液體熔池中，

其特征在于

-控制固體噴射速率，使得液體熔池溫度被維持在第一預定溫度范圍內和/或所述液體熔池溫度的演變被維持在第二預定范圍內，其中所述固體噴射速率被定義為每時間單位引入所述液體熔池中的顆粒材料的質量，

-所述第一氣體料流進入所述液體熔池的穿透深度通過調節所述第一氣體料流的流量來控制，

-至少兩股第二氣體料流以與所述第一氣體料流成發散角的方式噴射到所述液體中，

-所述第一氣體料流和所述第二氣體料流是氧化氣體，特別是氧氣，并且

-控制所述第二氣體料流的氣體流量的總和，使得所述液體熔池溫度被維持在所述第一預定溫度范圍內和/或所述液體熔池溫度的演變被維持在所述第二預定范圍內。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述噴槍設置在所述液體熔池上方的一定噴槍高度處，所述噴槍高度被定義為所述固體噴射管的出口與所述液體熔池的表面之間沿軸向方向的距離；并且所述第一氣體料流的所述穿透深度通過調節所述噴槍高度和/或所述第一氣體料流的流量來控制。

3.根據前述權利要求中的一項所述的方法，其特征在于所述第一氣體料流以介于340m/s與1100m/s之間、優選地介于500m/s與900m/s之間的速度提供。

4.根據前述權利要求中的一項所述的方法，其特征在于所述第二氣體料流以介于340m/s與1100m/s之間、優選地介于500m/s與900m/s之間的速度提供。

5.根據前述權利要求中的一項所述的方法，其特征在于所述穿透深度小于所述液體熔池的深度的75％、優選地小于所述液體熔池的深度的50％、更優選地小于所述液體熔池的深度的25％。

6.根據前述權利要求中的一項所述的方法，其特征在于所述第一氣體料流和/或所述第二氣體料流包含按體積計至少80％的氧氣，優選地包含按體積計至少90％的氧氣，更優選地包含工業純氧氣。

7.根據前述權利要求中的一項所述的方法，其特征在于將大于20kg/min的顆粒材料、優選地大于50kg/min的顆粒材料噴射到所述液體熔池中。

8.根據前述權利要求中的一項所述的方法，其特征在于所述顆粒材料包含冶金試劑，諸如鐵、鉻、鉬和/或這些金屬的合金。

9.根據前述權利要求中的一項所述的方法，其特征在于將所述顆粒材料噴射到冶金轉爐諸如BOS(堿性氧氣煉鋼)轉爐、AOD(氬氧脫碳)轉爐或CLU(過熱蒸汽)轉爐中。

10.根據前述權利要求中的一項所述的方法，其特征在于所述第一預定溫度范圍為1000℃至2000℃、優選地1450℃至1850℃、優選地1500℃至1650℃。

11.根據前述權利要求中的一項所述的方法，其特征在于所述液體熔池溫度的演變小于+/-20℃/min，優選地小于+/-15℃/min。

12.根據前述權利要求中的一項所述的方法，其特征在于所述第一氣體料流與所述第二氣體料流中的一股第二氣體料流之間的所述角度介于5°與20°之間。

13.根據前述權利要求中的一項所述的方法，其特征在于提供介于2股與8股之間的第二氣體料流，優選地介于3股與6股之間的第二氣體料流，優選地3股或4股第二氣體料流。

14.根據前述權利要求中的一項所述的方法，其特征在于所述待氧化的物質是碳和/或硅。