[發(fā)明專利]絕緣傳熱基板、熱電轉(zhuǎn)換模塊及絕緣傳熱基板的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880078217.0 | 申請日: | 2018-12-06 |
| 公開(公告)號: | CN111433923B | 公開(公告)日: | 2023-08-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 新井皓也;西元修司;駒崎雅人;長友義幸;黑光祥郎 | 申請(專利權(quán))人: | 三菱綜合材料株式會社 |
| 主分類號: | H10N10/13 | 分類號: | H10N10/13;H10N10/817;H10N10/01;F25B21/02;H02N11/00 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 刁興利;康泉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 絕緣 傳熱 熱電 轉(zhuǎn)換 模塊 制造 方法 | ||
1.一種絕緣傳熱基板,其特征在于,具有:熱傳遞層,由鋁或鋁合金構(gòu)成;導(dǎo)電層,配設(shè)于該熱傳遞層的一個面?zhèn)龋患安A樱纬捎谒鰧?dǎo)電層與所述熱傳遞層之間,
所述導(dǎo)電層由銀的燒成體構(gòu)成,
所述玻璃層的厚度被設(shè)在5μm以上且50μm以下的范圍內(nèi),
在俯視圖中,所述導(dǎo)電層的尺寸比所述玻璃層的尺寸小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣傳熱基板,其特征在于,
所述玻璃層在所述熱傳遞層的一個面形成為圖案狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的絕緣傳熱基板,其特征在于,
所述導(dǎo)電層的厚度被設(shè)在5μm以上且100μm以下的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的絕緣傳熱基板,其特征在于,
所述熱傳遞層被分割為多個塊體,并且對于一個塊體,分別形成有所述玻璃層及所述導(dǎo)電層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的絕緣傳熱基板,其特征在于,
在所述熱傳遞層的另一個面?zhèn)龋残纬捎兴霾A蛹八鰧?dǎo)電層。
6.一種熱電轉(zhuǎn)換模塊,其具有:多個熱電轉(zhuǎn)換元件;及配設(shè)于這些熱電轉(zhuǎn)換元件的一端側(cè)的第一導(dǎo)電層及配設(shè)于另一端側(cè)的第二導(dǎo)電層,經(jīng)由所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層而電連接多個所述熱電轉(zhuǎn)換元件而成,所述熱電轉(zhuǎn)換模塊的特征在于,
在所述熱電轉(zhuǎn)換元件的一端側(cè)及另一端側(cè)的至少一方或雙方,配設(shè)有根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的絕緣傳熱基板。
7.一種絕緣傳熱基板的制造方法,其特征在于,其為權(quán)利要求1至5中任一項所述的絕緣傳熱基板的制造方法,所述絕緣傳熱基板的制造方法具備:
玻璃層形成工序,在由鋁或鋁合金構(gòu)成的鋁板的一個面涂布玻璃漿料并進(jìn)行燒成,形成玻璃層;及
導(dǎo)電層形成工序,在所述玻璃層上涂布加入玻璃的銀漿料并進(jìn)行燒成,形成導(dǎo)電層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的絕緣傳熱基板的制造方法,其特征在于,
在所述導(dǎo)電層形成工序中,在涂布加入玻璃的銀漿料之后,進(jìn)一步涂布銀漿料,然后進(jìn)行燒成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的絕緣傳熱基板的制造方法,其特征在于,
在所述玻璃層形成工序中,將所述玻璃漿料涂布為圖案狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的絕緣傳熱基板的制造方法,其特征在于,
在將所述玻璃層形成為圖案狀的所述玻璃層上形成所述導(dǎo)電層,然后,將所述鋁板分割成多個塊體。
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