[發明專利]NAND裝置及其操作方法有效
| 申請號: | 201880078167.6 | 申請日: | 2018-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN111433752B | 公開(公告)日: | 2021-07-06 |
| 發明(設計)人: | K·坦派羅;J·黃;K·K·姆奇爾拉 | 申請(專利權)人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | G06F12/0868 | 分類號: | G06F12/0868;G06F3/06 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 王龍 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | nand 裝置 及其 操作方法 | ||
1.一種操作NAND裝置的方法,所述方法包括:
在NAND控制器處:
檢索SLC高速緩存遷移配置文件,所述SLC高速緩存遷移配置文件包含用于起始存儲于SLC高速緩存中的數據到MLC存儲器單元的遷移的第一規則及第二規則,所述第一規則及所述第二規則包括以下各者中的一者:空閑規則、數據碎片化規則、當前塊擦除計數、當前寫入放大因子WAF或功耗水平規則,其中所述第一規則不同于所述第二規則;
檢索由所述第一規則指定的第一NAND操作條件,且確定所述第一NAND操作條件滿足所述第一規則;檢索由所述第二規則指定的第二NAND操作條件,且確定所述第二NAND操作條件滿足所述第二規則;及
響應于滿足所述第一規則及所述第二規則,將存儲于所述SLC高速緩存中的數據的至少一部分遷移到所述NAND裝置的MLC存儲器單元。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述SLC高速緩存遷移配置文件包含終止條件,且其中將存儲于所述SLC高速緩存中的數據的所述至少一部分遷移到所述NAND裝置的MLC存儲器單元包括:
確定滿足所述終止條件,所述終止條件對應于NAND操作條件;及
響應于滿足所述終止條件,終止所述遷移,其中所述終止條件不是所述遷移的完成。
3.根據權利要求2所述的方法,其中所述終止條件是電力使用率。
4.根據權利要求1所述的方法,其包括:
跨主機接口從主機裝置接收所述SLC高速緩存遷移配置文件。
5.根據權利要求1所述的方法,其包括:
基于所述SLC遷移配置文件確定用于所述遷移操作的速率,且其中將存儲于所述SLC高速緩存中的數據的所述至少所述部分遷移到所述NAND的MLC存儲器單元包括以所述速率將存儲于所述SLC高速緩存中的數據的所述至少所述部分遷移到所述NAND的MLC存儲器單元。
6.根據權利要求1所述的方法,其包括:
對存儲遷移到MLC存儲器單元的數據的SLC存儲器單元進行廢棄項目收集。
7.根據權利要求1所述的方法,其中將存儲于SLC高速緩存中的數據的至少一部分遷移到所述NAND裝置的MLC存儲器單元包括從所述SLC遷移配置文件確定遷移參數規則。
8.根據權利要求7所述的方法,其中所述遷移參數規則包含取決于所述NAND裝置的操作參數確定所述遷移的速度的規則。
9.一種包括指令的機器可讀媒體,所述指令在由機器執行時致使所述機器執行包括以下各者的操作:
檢索SLC高速緩存遷移配置文件,所述SLC高速緩存遷移配置文件包含用于起始存儲于NAND存儲器裝置的SLC高速緩存中的數據到MLC存儲器單元的遷移的第一規則及第二規則,所述第一規則及所述第二規則包括以下各者中的一者:空閑規則、數據碎片化規則、當前塊擦除計數、當前寫入放大因子WAF或功耗水平規則,其中所述第一規則不同于所述第二規則;
檢索由所述第一規則指定的第一NAND操作條件,且確定所述第一NAND操作條件滿足所述第一規則;
檢索由所述第二規則指定的第二NAND操作條件,且確定所述第二NAND操作條件滿足所述第二規則;及
響應于滿足所述第一規則及所述第二規則,將存儲于所述SLC高速緩存中的數據的至少一部分遷移到所述NAND裝置的MLC存儲器單元。
10.根據權利要求9所述的機器可讀媒體,其中所述SLC高速緩存遷移配置文件包含終止條件,且其中將存儲于所述SLC高速緩存中的數據的所述至少一部分遷移到所述NAND裝置的MLC存儲器單元的所述操作包括:
確定滿足所述終止條件,所述終止條件對應于NAND操作條件;及
響應于滿足所述終止條件,終止所述遷移,其中所述終止條件不是所述遷移的完成。
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