[發明專利]用有機前體通過遠程等離子體表面處理含硅和碳的膜

在審

• 申請號: 201880078107.4
• 申請日: 2018-09-19
• 公開（公告）號: CN111433893A
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發明（設計）人: 楊曉晅;仲華;呂新亮
• 申請（專利權）人: 馬特森技術有限公司;北京屹唐半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/02
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務所 11313
• 代理人: 劉文娜;郗名悅

1.一種用于加工工件的方法，所述工件包括含硅和碳的膜材料，所述方法包括在含硅和碳的膜材料上進行基于有機自由基的表面處理工藝，所述基于有機自由基的表面處理工藝包括：

在第一腔室中生成一種或多種核素；

將一種或多種烴分子與所述核素混合以形成包括一種或多種有機自由基的混合物；以及

在第二腔室中將在所述工件上的含硅和碳的層暴露于所述混合物。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述基于有機自由基的表面處理工藝導致在所述含硅和碳的膜材料的至少一部分上的甲基化。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述含硅和碳的膜材料包括氧。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述膜材料具有約1％至約50％的孔隙率。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述含硅和碳的膜材料包括氮。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述含硅和碳的膜材料用作生產線前道工序應用中形成的隔離物結構的至少部分。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述含硅和碳的膜材料作用生產線后道工序應用中形成的互連結構的至少部分。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述一種或多種烴分子具有C_nH_2n+2的化學式，其中n為大于或等于1和小于或等于10。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述一種或多種烴分子具有C_nH_2n的化學式，其中n為大于或等于2并且n小于或等于10。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述一種或多種烴分子與第一腔室中的核素混合。

11.根據權利要求1所述的方法，其中在所述第一腔室中所述一種或多種烴分子與所述核素混合。

12.根據權利要求1所述的方法，其中所述方法包括在進行表面處理工藝后在所述第一腔室中生成等離子體并且從所述第二腔室中移出所述工件。

13.根據權利要求12所述的方法，其中在進行表面處理工藝后在所述第一腔室中生成等離子體包括生成一種或多種氧自由基。

14.根據權利要求1所述的方法，其中所述一種或多種有機自由基包括CH₃自由基。

15.根據權利要求1所述的方法，其中所述方法包括使用從第一腔室中的等離子體生成的一種或多種自由基進行干式剝離工藝。

16.根據權利要求1所述的方法，其中使用感應耦合等離子體源在第一腔室中在來自工藝氣體的等離子體中生成所述一種或多種核素。

17.根據權利要求16所述的方法，其中所述工藝氣體為惰性氣體。

18.根據權利要求17所述的方法，其中所述惰性氣體為氦氣。

19.根據權利要求16所述的方法，其中所述工藝氣體包括氫氣并且所述核素包括氫自由基。

20.根據權利要求1所述的方法，其中所述核素包括使用加熱絲生成的一種或多種氫自由基。

21.根據權利要求1所述的方法，其中所述一種或多種有機自由基是使用分子的熱解或UV輔助分子解離生成的。