[發明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201880077679.0
• 申請日: 2018-11-16
• 公開（公告）號: CN111418054A
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發明（設計）人: 福崎勇三
• 申請（專利權）人: 索尼半導體解決方案公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/088;H01L27/092;H01L29/78
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳孟秋

1.一種半導體裝置，包括：

第一場效應晶體管，包括至少兩個溝道結構單元，每個溝道結構單元具有納米線結構或納米片結構；以及

第二場效應晶體管，具有鰭結構，其中，

所述溝道結構單元在所述第一場效應晶體管的厚度方向上彼此間隔開。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

當所述溝道結構單元的總高度為H_L并且所述第二場效應晶體管的溝道形成區域的高度為H_H時，滿足

0.90≤H_L/H_H≤1.04。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

用于所述第一場效應晶體管的柵絕緣膜和柵電極形成在所述第一場效應晶體管的溝道結構單元中，并且

用于所述第二場效應晶體管的柵絕緣膜和柵電極形成在所述第二場效應晶體管的溝道形成區域中。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第一場效應晶體管由n溝道第一場效應晶體管和p溝道第一場效應晶體管的組合構成。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，所述n溝道第一場效應晶體管和所述p溝道第一場效應晶體管中的一個第一場效應晶體管中的溝道結構單元形成在奇數級的層中，并且另一第一場效應晶體管的溝道結構單元形成在偶數級的層中。

6.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，

所述n溝道第一場效應晶體管中的溝道結構單元包含Si，并且

所述p溝道第一場效應晶體管中的溝道結構單元包含SiGe。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第二場效應晶體管由n溝道第二場效應晶體管和p溝道第二場效應晶體管的組合構成。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，

所述n溝道第二場效應晶體管中的溝道形成區域包含Si，并且

所述p溝道第二場效應晶體管中的溝道形成區域包含SiGe。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第二場效應晶體管包括n溝道第二場效應晶體管。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第一場效應晶體管是低耐壓/場效應晶體管，并且

所述第二場效應晶體管是高耐壓/場效應晶體管。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中，

施加到所述第一場效應晶體管的柵電極的電壓為0.5伏至0.8伏，并且

施加到所述第二場效應晶體管的柵電極的電壓是1.5伏至3伏。