[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置、顯示裝置、電子設(shè)備及工作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880077322.2
• 申請(qǐng)日: 2018-12-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111406280B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-12-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 豐高耕平;高橋圭;川島進(jìn);山崎舜平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號(hào): G09G3/3233
• 分類號(hào): G09G3/3233;G09F9/30;G09G3/20;H01L27/32;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/14
• 代理公司: 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 劉倜

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括像素，所述像素包括：

圖像數(shù)據(jù)保持部；

校正數(shù)據(jù)保持部；

驅(qū)動(dòng)電路部，包括第一晶體管；

顯示元件，電連接到所述第一晶體管；以及

閾值電壓校正電路部，

其中，所述第一晶體管包括柵極和背柵極，

所述圖像數(shù)據(jù)保持部具有保持第一圖像數(shù)據(jù)的功能，

所述校正數(shù)據(jù)保持部具有保持校正數(shù)據(jù)的功能以及在所述圖像數(shù)據(jù)保持部保持所述第一圖像數(shù)據(jù)時(shí)生成對(duì)應(yīng)于所述第一圖像數(shù)據(jù)及所述校正數(shù)據(jù)的第二圖像數(shù)據(jù)的功能，

所述驅(qū)動(dòng)電路部具有在對(duì)所述第一晶體管的所述柵極施加對(duì)應(yīng)于所述第二圖像數(shù)據(jù)的第一電位時(shí)在所述第一晶體管的第一端子和第二端子間生成第一電流以及提供所述第一電流到所述顯示元件的功能，以及

所述閾值電壓校正電路部具有校正所述第一晶體管的閾值電壓的功能。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

第一電容器、第二電容器和第三電容器，

其中所述圖像數(shù)據(jù)保持部包括第二晶體管，

所述校正數(shù)據(jù)保持部包括第三晶體管，

所述閾值電壓校正電路部包括第四晶體管，

所述第二晶體管的第一端子與所述第一電容器的第一端子電連接，

所述第三晶體管的第一端子與所述第一晶體管的所述柵極、所述第一電容器的第二端子及所述第二電容器的第一端子電連接，

所述第一晶體管的所述第一端子與所述第二電容器的第二端子及所述第三電容器的第一端子電連接，以及

所述第一晶體管的所述背柵極與所述第四晶體管的第一端子及所述第三電容器的第二端子電連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一至第四晶體管中的每一個(gè)在溝道形成區(qū)中含有金屬氧化物。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述驅(qū)動(dòng)電路部還包括第五晶體管，并且所述第一晶體管的所述第一端子通過(guò)所述第五晶體管與所述顯示元件電連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

第六晶體管，

其中所述第六晶體管的第一端子與所述第一晶體管的所述柵極電連接，

并且所述第六晶體管的第二端子與所述第一晶體管的所述第一端子電連接。

6.一種電子設(shè)備，包括：

權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置。

7.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

驅(qū)動(dòng)電路部，包括第一晶體管；

圖像數(shù)據(jù)保持部,包括第二晶體管；

校正數(shù)據(jù)保持部，包括第三晶體管；

顯示元件，電連接到所述第一晶體管；

閾值電壓校正電路部，包括第四晶體管；以及

第一電容器、第二電容器和第三電容器，

其中，所述第一晶體管包括柵極和背柵極，

所述第二晶體管的源極和漏極中的一個(gè)與所述第一電容器的第一端子電連接，

所述第三晶體管的源極和漏極中的一個(gè)與所述第一晶體管的所述柵極、所述第一電容器的第二端子以及所述第二電容器的第一端子電連接，

所述第一晶體管的源極和漏極中的一個(gè)與所述第二電容器的第二端子和所述第三電容器的第一端子電連接，以及

其中所述第一晶體管的所述背柵極與所述第四晶體管的源極和漏極中的一個(gè)以及所述第三電容器的第二端子電連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一至第四晶體管中的每一個(gè)在溝道形成區(qū)中含有金屬氧化物。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述驅(qū)動(dòng)電路部還包括第五晶體管，并且所述第一晶體管的所述源極和所述漏極中所述的一個(gè)通過(guò)所述第五晶體管與所述顯示元件電連接。