[發(fā)明專利]使用碳基膜空間選擇性灰化改善沉積引起的CD不平衡的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880077280.2
• 申請日: 2018-11-15
• 公開（公告）號: CN111512413A
• 公開（公告）日: 2020-08-07
• 發(fā)明（設計）人: 伊時塔克·卡里姆;普爾凱特·阿加瓦爾;約瑟夫·R·阿貝爾;普魯肖塔姆·庫馬爾;阿德里安·拉沃伊
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01J37/32
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 樊英如;張靜

提供了一種用于利用碳基沉積物在晶片上形成特征的方法。對所述碳基沉積物進行預調節(jié)，其中，所述預調節(jié)導致所述碳基沉積物中的一些的不均勻去除。通過原子層沉積工藝沉積氧化硅基材料的氧化物沉積物，其中所述沉積所述氧化物沉積物導致所述碳基沉積物中的一些的不均勻去除，其與通過所述預調節(jié)導致的所述碳基沉積物中的一些的不均勻去除互補。

相關申請的交叉引用

本申請要求2017年11月29日提交的美國臨時申請No.62/591,949和2018年5月8日提交的美國申請No.15/974,172的優(yōu)先權，其全部內容通過引用并入本文以用于所有目的。

背景

本公開涉及半導體器件的形成。更具體地，本公開涉及半導體器件的形成，其中圖案倍增用于將掩模密度或線頻率變?yōu)殡p倍或四倍。這樣的圖案倍增可以在碳特征周圍形成氧化物間隔物，然后去除碳特征，從而使氧化物間隔物充當掩模。

發(fā)明內容

為了實現前述目的并且根據本公開的目的，提供了一種用于利用碳基沉積物在晶片上形成特征的方法。對所述碳基沉積物進行預調節(jié)，其中，所述預調節(jié)導致所述碳基沉積物中的一些的不均勻去除。通過原子層沉積工藝沉積氧化硅(SiO₂)基材料的氧化物沉積物，其中所述沉積所述氧化物沉積物導致所述碳基沉積物中的一些的不均勻去除，其與通過所述預調節(jié)導致的所述碳基沉積物中的一些的不均勻去除互補。

在另一表現形式中，提供了一種用于利用碳基沉積物在晶片上形成特征的方法。對所述碳基沉積物進行預調節(jié)，其中，所述預調節(jié)導致所述碳基沉積物中的一些的不均勻去除。通過原子層沉積工藝沉積氧化物沉積物，其中所述沉積所述氧化物沉積物導致所述碳基沉積物中的一些的不均勻去除。提供至少一個額外的工藝，其中所述至少一個額外的工藝完成所述晶片上的特征的形成，其中，所述特征比在不具有預調節(jié)的情況下將形成的特征較均勻。

本發(fā)明的這些特征和其它特征將在下面在本公開的詳細描述中并結合以下附圖進行更詳細的描述。

附圖說明

在附圖中以示例而非限制的方式示出了本公開，并且附圖中相同的附圖標記表示相似的元件，其中：

圖1是實施方案的高級流程圖。

圖2是可以在一個實施方案中使用的處理室的示意圖。

圖3是可用于實踐實施方案的計算機系統的示意圖。

圖4A-F是根據一個實施方案處理的堆疊件的示意性截面圖。

圖5是預調節(jié)工藝的更詳細的流程圖。

圖6是較低能量的氧化物沉積的更詳細的流程圖。

圖7是較高能量的氧化物沉積的更詳細的流程圖。

圖8是根據一個實施方案的碳去除的曲線圖。

圖9是另一實施方案的流程圖。

具體實施方式

現在將參考附圖中所示的幾個優(yōu)選實施方案來詳細描述本公開的實施方案。在下面的描述中，闡述了許多具體細節(jié)以便提供對本公開的徹底理解。然而，對于本領域技術人員顯而易見的是，本公開可以在沒有這些具體細節(jié)中的一些或全部的情況下實施。在其他情況下，未詳細描述公知的工藝步驟和/或結構，以免不必要地使本公開不清楚。