[發明專利]層疊基板的制造方法以及制造裝置在審
| 申請號: | 201880076998.X | 申請日: | 2018-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN111418042A | 公開(公告)日: | 2020-07-14 |
| 發明(設計)人: | 三石創;菅谷功 | 申請(專利權)人: | 株式會社尼康 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/68;H01L21/683;H05K3/46 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王瑋;蘇琳琳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 層疊 制造 方法 以及 裝置 | ||
本發明涉及層疊基板的制造方法以及制造裝置,制造方法包含:對多個基板中的至少一個進行加工的加工步驟、層疊多個基板來制造層疊基板的層疊步驟、以及基于多個層疊基板各自的多個基板間的位置偏移量來決定修正量的決定步驟,加工步驟以及層疊步驟中的至少一個步驟包含利用修正量來修正在決定步驟之后進行層疊的多個基板中的至少一個的修正步驟。
技術領域
本發明涉及層疊基板的制造方法以及制造裝置。
背景技術
存在層疊多個基板來形成層疊基板的技術。
專利文獻1:日本特開2014-216496號公報
層疊基板中的基板相互的位置偏移因各種原因而產生。因此,為了得到規定的對位精度,需要對多種位置偏移分量進行修正。
發明內容
本發明的第一形態提供一種制造方法,其包含:加工步驟,對多個基板中的至少一個進行加工;層疊步驟,層疊多個基板來制造層疊基板;以及決定步驟,基于多個層疊基板各自的多個基板間的位置偏移量來決定修正量,加工步驟以及層疊步驟中的至少一個步驟包含:利用修正量來修正在決定步驟之后進行層疊的多個基板中的至少一個的修正步驟。
本發明的第二形態提供一種制造方法,其包含:加工步驟,對多個基板中的至少一個進行加工,加工步驟包含修正步驟,該修正步驟利用基于分別具有被層疊的多個基板的多個層疊基板各自的多個基板間的位置偏移量而決定的修正量,對在決定后進行層疊的多個基板中的至少一個進行修正。
本發明的第三形態提供一種制造方法,其包含:層疊步驟,通過層疊多個基板來制造層疊基板,層疊步驟包含修正步驟,該修正步驟利用基于多個層疊基板各自的多個基板間的位置偏移量而決定的修正量,對在決定后進行層疊的多個基板中的至少一個進行修正。
本發明的第四形態提供一種制造裝置,其具備:加工部,對多個基板中的至少一個進行加工;以及層疊部,層疊多個基板來制造層疊基板,加工部以及層疊部中的至少一個利用基于多個層疊基板各自的多個基板間的位置偏移量而決定的修正量,對在決定后進行層疊的多個基板中的至少一個進行修正。
本發明的第五形態提供一種制造裝置,其具備:加工部,對多個基板中的至少一個進行加工,加工部利用分別具有被相互層疊的多個基板的多個層疊基板各自的多個基板間的位置偏移量而決定的修正量,對在決定后進行層疊的多個基板中的至少一個進行修正。
本發明的第六形態提供一種制造裝置,其具備:層疊部,通過層疊多個基板來制造層疊基板,層疊部利用基于多個層疊基板各自的多個基板間的位置偏移量而決定的修正量,對在決定后進行層疊的多個基板中的至少一個進行修正。
上述發明的概要沒有列舉本發明的全部特征。這些特征組的子組合也可以成為發明。
附圖說明
圖1是表示制造裝置10整體的結構的框圖。
圖2是表示制造裝置10整體的動作步驟的流程圖。
圖3是表示加工部11的動作步驟的流程圖。
圖4是成膜裝置100的示意圖。
圖5是電路形成裝置200的示意圖。
圖6是表示層疊部13的動作步驟的流程圖。
圖7是基板510、520的示意圖。
圖8是保持基板510的基板保持器530的示意圖。
圖9是保持基板520的基板保持器540的示意圖。
圖10是接合裝置300的示意性剖視圖。
圖11是表示接合裝置300的動作步驟的流程圖。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社尼康,未經株式會社尼康許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201880076998.X/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





