[發明專利]使用于晶粒封裝的防翹曲用的PTFE片以及晶粒封裝方法在審
| 申請號: | 201880076827.7 | 申請日: | 2018-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN111712906A | 公開(公告)日: | 2020-09-25 |
| 發明(設計)人: | 渡辺治;中村智宣;萩原美仁;金井裕司 | 申請(專利權)人: | 株式會社新川;株式會社華爾卡 |
| 主分類號: | H01L21/52 | 分類號: | H01L21/52 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬爽;臧建明 |
| 地址: | 日本東京武藏村*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 使用 晶粒 封裝 防翹曲用 ptfe 以及 方法 | ||
1.一種聚四氟乙烯片,對直徑為1μm以下的聚四氟乙烯纖維進行紡織而成,
所述聚四氟乙烯片中,哥雷值為1s/100cc/in2~3s/100cc/in2的范圍,加熱至300℃時的與片纏繞方向正交的方向上的收縮率為10%以下,
當將晶粒封裝至被封裝體時夾于對所述晶粒進行加熱的工具與所述晶粒之間而能夠利用所述工具來吸附所述晶粒,并且抑制將所述晶粒固定于所述被封裝體的粘接構件附著在所述工具的吸附面或所述晶粒。
2.根據權利要求1所述的聚四氟乙烯片,其中
所述聚四氟乙烯片具有所述晶粒的凸塊形成面上的凸塊電極的突起高度以上的厚度,能夠吸附所述晶粒的凸塊形成面。
3.根據權利要求2所述的聚四氟乙烯片,其中所述聚四氟乙烯片包含比所述凸塊電極或所述吸附面更柔軟的材質。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的聚四氟乙烯片,其中
所述工具通過對所述晶粒及所述粘接構件進行加熱,而將所述晶粒封裝至所述被封裝體的接合區域,
所述聚四氟乙烯片成為過濾器,所述過濾器抑制對所述晶粒或粘接材料進行加熱時所產生的煙氣滲入至所述工具的抽吸孔。
5.一種晶粒封裝方法,包括如下的步驟:
準備具有形成有多個凸塊電極的凸塊形成面的晶粒;
對直徑為1μm以下的聚四氟乙烯纖維進行紡織,準備哥雷值為1s/100cc/in2~3s/100cc/in2的范圍,且加熱至300℃時的與片纏繞方向正交的方向上的收縮率為10%以下的聚四氟乙烯片;
將具有吸附面的真空吸附工具,沿所述吸附面與所述凸塊形成面相向的方向,配置于所述晶粒的上方;
在所述吸附面與所述凸塊形成面之間夾著聚四氟乙烯片,利用所述真空吸附工具而吸附所述晶粒;以及
將利用所述真空吸附工具而吸附的所述晶粒,經由粘接材料而封裝至基板的接合區域;且
所述聚四氟乙烯片具有所述凸塊形成面上的所述凸塊電極的突起高度以上的厚度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





