[發明專利]處理單晶硅鑄錠以改善激光散射環狀/核狀圖案的方法

在審

• 申請號: 201880076551.2
• 申請日: 2018-12-10
• 公開（公告）號: CN111406129A
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發明（設計）人: 池浚煥;鄭義成;金正漢;李榮中;趙燦來;崔源進
• 申請（專利權）人: 環球晶圓股份有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B33/02
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 江葳

1.一種處理單晶硅鑄錠的方法，所述方法包括：

研磨所述單晶硅鑄錠，其中所述單晶硅鑄錠包括種端、與所述種端相對的尾端和所述種端與所述尾端之間的主體，其中所述主體研磨成恒定直徑；

退火所述研磨單晶硅鑄錠達足以減小從所述單晶硅鑄錠切割的晶片上的局部激光散射缺陷的大小或數目的溫度和持續時間；和

將所述退火單晶硅鑄錠切割成至少兩個單晶硅晶片。

2.根據權利要求1所述的方法，其中由丘克拉斯基工藝生長所述單晶硅鑄錠，且在研磨之前冷卻所述單晶硅鑄錠。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述單晶硅鑄錠的所述主體的所述直徑為至少約150mm、至少約200mm、至少約300mm或至少約450mm。

4.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括將所述單晶硅鑄錠剪切成一或多個片段的步驟，其中片段的厚度為至少約1cm、至少約10cm或至少約20cm。

5.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括將所述單晶硅鑄錠剪切成一或多個片段的步驟，其中片段的厚度小于約1m、小于約50cm或小于約40cm或小于約30cm。

6.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括將所述單晶硅鑄錠剪切成一或多個片段的步驟，其中片段的厚度介于約10cm與約30cm之間。

7.根據權利要求1所述的方法，其中從所述退火鑄錠切割的每一單晶硅晶片包括：兩個主要大體上平行表面，其中一者為所述單晶硅晶片的前表面且其中另一者為所述單晶硅晶片的后表面；圓周邊緣，其連結所述單晶硅晶片的所述前表面和所述后表面；中心平面，其在所述單晶硅晶片的所述前表面與所述后表面之間且平行于所述表面；中心軸，其垂直于所述中心平面；和塊狀區域，其在所述單晶硅晶片的所述前表面與所述后表面之間，其中每一晶片具有如在所述單晶硅晶片的所述前表面與所述后表面之間且沿所述中心軸測量的厚度，其小于約1500微米。

8.根據權利要求1所述的方法，其中將所述退火單晶硅鑄錠切割成介于約兩個單晶硅晶片與約300個單晶硅晶片之間。

9.根據權利要求1所述的方法，其中將所述退火單晶硅鑄錠切割成約300個單晶硅晶片。

10.根據權利要求1所述的方法，其中在包括氬、氮或氬與氮的組合的環境氛圍中退火所述單晶硅鑄錠。

11.根據權利要求1所述的方法，其中在包括氮的環境氛圍中退火所述單晶硅鑄錠。

12.根據權利要求1所述的方法，其中在本質上由氮構成的環境氛圍中退火所述單晶硅鑄錠。

13.根據權利要求1所述的方法，其中在至少約600℃的溫度下退火所述單晶硅鑄錠。

14.根據權利要求1所述的方法，其中在介于約600℃與約1000℃之間的溫度下退火所述單晶硅鑄錠。

15.根據權利要求1所述的方法，其中在介于約600℃與約900℃之間的溫度下退火所述單晶硅鑄錠。

16.根據權利要求1所述的方法，其中所述單晶硅鑄錠退火達至少約1小時的持續時間。

17.根據權利要求1所述的方法，其中所述單晶硅鑄錠退火達介于約1小時與約4小時之間的持續時間。

18.根據權利要求1所述的方法，其中所述單晶硅鑄錠退火達約2小時的持續時間。