[發(fā)明專利]柔性傳導(dǎo)裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880076475.5
• 申請日: 2018-11-27
• 公開（公告）號: CN111465494A
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 阿蒂夫·賽義德;恩里科·馬斯特羅保羅
• 申請（專利權(quán)）人: 沃扎諾有限公司
• 主分類號: B32B7/12
• 分類號: B32B7/12;B32B15/08;B32B27/08;B32B27/28;B32B27/30;B32B27/32;B32B27/34;B32B27/36;B32B27/40
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強(qiáng)

一種柔性傳導(dǎo)或電子裝置，其包括聚合物基體、聚對二甲苯層和傳導(dǎo)層，所述聚對二甲苯層通過第一粘合劑層與所述聚合物基體結(jié)合，所述傳導(dǎo)層通過第二粘合劑層與所述聚對二甲苯層結(jié)合。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明總體上涉及柔性傳導(dǎo)和電子裝置領(lǐng)域，涉及用于制造柔性傳導(dǎo)和電子裝置的基底、其用作力傳感器的用途以及制造方法。

背景技術(shù)

柔性電子裝置領(lǐng)域得到了長足的發(fā)展，但仍然存在一些重大困難，特別是在開發(fā)可適形的柔性傳導(dǎo)裝置方面，例如用于軟體機(jī)器人應(yīng)用的傳感器。

在適合于柔性應(yīng)用的聚合物基體上設(shè)置有傳導(dǎo)層或圖案化的傳導(dǎo)層的器件容易發(fā)生器件撓曲破裂或熱膨脹和收縮。這導(dǎo)致壽命短和/或功能不一致。

本發(fā)明要解決的問題

需要改進(jìn)柔性且可適形的傳導(dǎo)裝置，例如以用作力傳感器。

本發(fā)明的目的是提供一種耐用且有效的用于制造柔性傳導(dǎo)裝置的基底。

本發(fā)明的目的是提供一種柔性傳導(dǎo)裝置，其具有長壽命并且在正常使用期間不會被不可修復(fù)地?fù)p壞。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種柔性傳導(dǎo)或電子裝置，其包括聚合物基體、聚對二甲苯層和傳導(dǎo)層，所述聚對二甲苯層通過第一粘合劑層與所述聚合物基體結(jié)合，所述傳導(dǎo)層通過第二粘合劑層與所述聚對二甲苯層結(jié)合。

本發(fā)明的第二方面提供了一種用于制造柔性傳導(dǎo)或電子器件的基底，所述基底包括聚合物基體和通過第一粘合劑層與所述聚合物基體結(jié)合的聚對二甲苯層。

發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)

本發(fā)明的傳導(dǎo)裝置提供了柔性且均勻可適形的基底和傳導(dǎo)性的、通常是圖案化的層，用于功能用途，例如堅(jiān)固的力傳感器，能夠經(jīng)受撓曲和熱膨脹，并且可以結(jié)合到其他基底中使用。

附圖的簡要說明

圖1是

具體實(shí)施方式

本發(fā)明提供了一種改進(jìn)的柔性傳導(dǎo)或電子裝置以及用于制造這種裝置的基底。根據(jù)一個方面的基底包括聚合物基體和通過第一粘合劑層與所述聚合物基體結(jié)合的聚對二甲苯層。優(yōu)選地，在聚對二甲苯層上與聚合物基體結(jié)合的一側(cè)的相對側(cè)上設(shè)置有第二粘合劑層。根據(jù)另一方面的柔性傳導(dǎo)裝置包括上面的基底，其具有設(shè)置在其上并通過第二粘合劑層與其結(jié)合的傳導(dǎo)層(例如，圖案化的傳導(dǎo)層)。

優(yōu)選地，裝置和基底是可適形的。

聚合物基體可以是任何合適的基體，并且可以包含PDMS、PI、聚丁酸酯、PMMA、丙烯酸酯、聚乙烯、HDPE、LDPE、PET、TPU、聚氨酯、PVC、PEI、PEN、PP、聚苯乙烯、脂族或半芳族聚酰胺、PTFE、PVDF或其混合物中的一種或多種。

聚合物基體優(yōu)選包括且更優(yōu)選為楊氏模量至多為1.5MPa的聚合物，更優(yōu)選地楊氏模量至多為1.2MPa，更優(yōu)選地至多為1MPa，優(yōu)選為至少500kPa，例如在700kPa至1MPa的范圍內(nèi)，例如700至800kPa。

優(yōu)選地，聚合物基體包括或者是PDMS和/或PI(聚酰亞胺)，更優(yōu)選PDMS(聚二甲基硅氧烷)。

聚合物基體可以具有任何合適的厚度，但是優(yōu)選為足夠薄以實(shí)現(xiàn)期望的柔韌性或可適形性。優(yōu)選地，聚合物基體的厚度至多為1mm，更優(yōu)選為50至500μm，還更優(yōu)選為60至250μm，例如為75至175μm。