[發(fā)明專利]綠色熒光體、熒光體片和發(fā)光裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880076344.7 | 申請日: | 2018-11-22 |
| 公開(公告)號: | CN111417699A | 公開(公告)日: | 2020-07-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 山菅雄大;楠木常夫;阿部守晃;大門正英 | 申請(專利權(quán))人: | 迪睿合株式會社 |
| 主分類號: | C09K11/08 | 分類號: | C09K11/08;C09K11/62;C09K11/64;H01L33/50 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋融冰 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 綠色 熒光 發(fā)光 裝置 | ||
1.一種綠色熒光體,其特征在于,含有:
無機熒光體顆粒;以及
在所述無機熒光體顆粒的表面附著的含釹顆粒,
所述綠色熒光體在500nm~570nm具有最大發(fā)光波長。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的綠色熒光體,其中,
所述無機熒光體顆粒在500nm~570nm具有最大發(fā)光波長即λa,
所述綠色熒光體的500nm~570nm的最大發(fā)光波長即λb與所述最大發(fā)光波長即λa之差即λb-λa超過0nm且10nm以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的綠色熒光體,其中,
所述無機熒光體顆粒具有以下述通式(1)~下述通式(3)中的任一者所表示的母體顆粒:
Sr1-xGa2S4:Eux···通式(1);
(Sr1-yCay)1-xGa2S4:Eux···通式(2);
(BazSr1-z)1-xGa2S4:Eux···通式(3);
所述通式(1)~所述通式(3)中,x滿足0<x<1,y滿足0<y<1,z滿足0<z<1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的綠色熒光體,其中,
所述無機熒光體顆粒具有作為活化了Eu的β型塞隆熒光體顆粒的母體顆粒。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項所述的綠色熒光體,其中,
所述含釹顆粒含有氫氧化釹、碳酸氧化釹和氧化釹中的至少任一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項所述的綠色熒光體,其中,
所述綠色熒光體中的所述含釹顆粒的含量相對于所述綠色熒光體中的所述無機熒光體顆粒的含量為10質(zhì)量%~50質(zhì)量%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~6中任一項所述的綠色熒光體,其中,
所述無機熒光體顆粒具有母體顆粒和氧化硅覆膜,所述氧化硅覆膜位于所述母體顆粒的表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的綠色熒光體,其中,
在關(guān)于所述綠色熒光體的ICP發(fā)光分光分析中的所述氧化硅覆膜的氧原子與硅原子的摩爾比即O/Si為2.60以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的綠色熒光體,其中,
所述氧化硅覆膜的平均厚度為3nm~200nm。
10.一種熒光體片,其特征在于,
含有權(quán)利要求1~9中任一項所述的綠色熒光體。
11.一種發(fā)光裝置,其特征在于,
具有權(quán)利要求10所述的熒光體片。
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