[發(fā)明專利]沉積掩模在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880076181.2 | 申請(qǐng)日： | 2018-10-22 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN111512461A | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-08-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 曹守鉉;孫曉源 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L51/56 | 分類號(hào)： | H01L51/56;C23C14/04;C23F1/02;H01L51/00 |
| 代理公司： | 北京鴻元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327 | 代理人： | 李琳;陳英俊 |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 沉積 | ||
1.一種沉積掩模，所述沉積掩模由用于有機(jī)發(fā)光二極管OLED像素沉積的金屬材料形成，所述沉積掩模包括用于沉積的多個(gè)可用部分和除所述可用部分之外的不可用部分，
其中，所述可用部分包括在縱向方向上彼此間隔開(kāi)并且設(shè)置在所述可用部分的中心處的多個(gè)可用區(qū)域、以及分別圍繞所述多個(gè)可用區(qū)域的外部區(qū)域，
其中，所述可用區(qū)域包括：
在一個(gè)表面中形成的多個(gè)第一小孔；
在與所述一個(gè)表面相對(duì)的另一表面中形成的多個(gè)第一大孔；
與所述第一小孔和所述第一大孔連通的多個(gè)第一通孔；以及
在所述第一通孔之間形成的第一島部，
其中，所述外部區(qū)域包括：
在一個(gè)表面中形成的多個(gè)第二小孔；
在與所述一個(gè)表面相對(duì)的另一表面上形成的多個(gè)第二大孔；
與所述第二小孔和所述第二大孔連通的多個(gè)第二通孔；以及
在所述第二通孔之間形成的第二島部，并且
其中，所述第二通孔被設(shè)置為圍繞所述可用區(qū)域并且具有比所述第一通孔小的尺寸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積掩模，其中，所述第二通孔的中心之間的間距大于所述第一通孔的中心之間的間距。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積掩模，其中，所述可用區(qū)域中的所述第一通孔的第一開(kāi)口率大于所述外部區(qū)域中的所述第二通孔的第二開(kāi)口率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積掩模，其中，所述第一島部的面積小于所述第二島部的面積。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積掩模，
其中，所述可用區(qū)域包括通過(guò)使所述第一通孔的所述第一大孔彼此接觸而形成的第一肋，
其中，所述外部區(qū)域包括通過(guò)使所述第二通孔的所述第二大孔彼此接觸而形成的第二肋，并且
其中，所述第二肋的中心部分的厚度小于不可用區(qū)域的厚度，并且大于所述第一肋的中心部分的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的沉積掩模，還包括通過(guò)使所述第一通孔的所述第一大孔與所述第二通孔的所述第二大孔在所述可用區(qū)域與所述外部區(qū)域之間的邊界處接觸而形成的第三肋，并且
其中，所述第三肋的中心部分的厚度小于非沉積區(qū)域的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的沉積掩模，其中，所述第三肋的中心部分的厚度大于所述第一肋的中心部分的厚度，并且小于所述第二肋的中心部分的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的沉積掩模，還包括在所述可用區(qū)域與所述外部區(qū)域之間的邊界中位于所述第一通孔與所述第二通孔之間的第三島部，并且
其中，所述第三島部的上表面的面積大于所述第一島部的上表面的面積，并且小于所述第二島部的上表面的面積。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的沉積掩模，
其中，所述第三島部包括：
第一子第三島部，所述第一子第三島部位于所述可用區(qū)域中；以及
第二子第三島部，所述第二子第三島部位于所述外部區(qū)域中，
其中，所述第一子第三島部的上表面的面積小于所述第二子第三島部的上表面的面積。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積掩模，其中，所述外部區(qū)域包括：
第一外部區(qū)域，所述第一外部區(qū)域與所述可用區(qū)域相鄰設(shè)置并且圍繞所述可用區(qū)域；以及
第二外部區(qū)域，所述第二外部區(qū)域與不可用區(qū)域相鄰設(shè)置并且圍繞所述第一外部區(qū)域，
其中，所述第二通孔位于所述第一外部區(qū)域中，
其中，所述第二外部區(qū)域包括：
在一個(gè)表面中形成的多個(gè)第三小孔；
在與所述一個(gè)表面相對(duì)的另一表面中形成的多個(gè)第三大孔；
與所述多個(gè)第三小孔和所述第三大孔連通的多個(gè)第三通孔；以及
在所述第三通孔之間形成的第四島部，并且
其中，所述第二通孔具有比所述第一通孔更小的尺寸和比所述第三通孔更大的尺寸。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門(mén)適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門(mén)適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射；專門(mén)適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門(mén)適用于光發(fā)射的，如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
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