[發(fā)明專利]透明導(dǎo)電性薄膜在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880075701.8 | 申請(qǐng)日: | 2018-10-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111372776A | 公開(公告)日: | 2020-07-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 河野文彥;松本圭祐;安藤豪彥 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日東電工株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | B32B27/18 | 分類號(hào): | B32B27/18;H01B5/14 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 透明 導(dǎo)電性 薄膜 | ||
1.一種透明導(dǎo)電性薄膜,其特征在于,依次具備:透明樹脂基材、硬涂層、光學(xué)調(diào)整層、密合層、和透明導(dǎo)電層,
所述密合層為含有納米二氧化硅顆粒的樹脂層,
所述密合層的所述透明導(dǎo)電層側(cè)的表面中,硅原子數(shù)相對(duì)于碳原子數(shù)的比為0.50以上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電性薄膜,其特征在于,所述硅原子數(shù)相對(duì)于碳原子數(shù)的比為1.00以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的透明導(dǎo)電性薄膜,其特征在于,所述密合層的厚度為10nm以上且100nm以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的透明導(dǎo)電性薄膜,其特征在于,所述透明樹脂基材為環(huán)烯烴聚合物薄膜。
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