[發(fā)明專利]功率半導(dǎo)體裝置、模塊及制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880075381.6 | 申請日： | 2018-11-19 |
| 公開（公告）號： | CN111448668B | 公開（公告）日： | 2023-09-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 櫻井直樹;池田靖 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L25/07;H01L25/18;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H02M7/48 |
| 代理公司： | 上海華誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31300 | 代理人： | 肖華 |
| 地址： | 日本國東京都千*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 功率 半導(dǎo)體 裝置 模塊 制造 方法 | ||
1.一種功率半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：
功率半導(dǎo)體元件；
焊料；以及
導(dǎo)體，其經(jīng)由所述焊料與所述功率半導(dǎo)體元件電連接，
所述功率半導(dǎo)體元件具有：
控制電極以及第一鋁電極，它們設(shè)置在一個面上；
第二鋁電極，其設(shè)置在另一個面上；
Ni層，其覆蓋所述第一鋁電極；以及
第一保護(hù)膜，其覆蓋所述控制電極，
所述Ni層以及第一鋁電極與所述第一保護(hù)膜分離，
所述功率半導(dǎo)體元件具有覆蓋所述第一保護(hù)膜的第二保護(hù)膜，所述Ni層隔著所述第二保護(hù)膜與所述第一保護(hù)膜相對。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述第二保護(hù)膜的硬度比所述焊料低且比所述第一保護(hù)膜高。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
第二鋁電極與第一鋁電極相比連接至高電位。
4.一種模塊，其特征在于，
包含權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體裝置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的模塊，其特征在于，
具備收納所述功率半導(dǎo)體裝置的殼體，
在所述殼體的表面及背面設(shè)置有散熱用的散熱片。
6.一種制造方法，其是權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述制造方法的特征在于，
所述Ni層通過化學(xué)鍍法形成。
7.一種制造方法，其是權(quán)利要求1所述的功率半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述制造方法的特征在于，
所述第二保護(hù)膜通過光刻及蝕刻形成。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
