[發(fā)明專利]半導體裝置、功率模塊和電源裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880075251.2 | 申請日： | 2018-08-20 |
| 公開（公告）號： | CN111373528A | 公開（公告）日： | 2020-07-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 若本惠佑 | 申請（專利權）人： | 羅姆股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/467 | 分類號： | H01L23/467;H01L23/367;H01L23/373;H01L25/07;H01L25/18;H02M7/48 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產(chǎn)權代理有限公司 11243 | 代理人： | 鐘晶;陳彥 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 功率 模塊 電源 | ||
1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：
具有在工作狀態(tài)發(fā)熱的半導體設備的熱源，
與所述熱源熱連接的同時、在與所述熱源的相反方向具有空間的熱擴散部，和
配置在所述熱擴散部的所述空間內(nèi)且一端與所述熱擴散部連接的多個散熱片部。
2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，
具有與所述熱擴散部連接的基座部，
所述多個散熱片部的各一端與所述基座部連接。
3.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，
具有被所述熱擴散部和所述多個散熱片部包圍的、所述熱擴散部與所述多個散熱片部的熱接觸空間部。
4.如權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置，其中，
所述熱擴散部具有銅(Cu)或均熱板。
5.如權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置，其中，
所述熱擴散部具備具有各向異性的熱傳導率的石墨基板。
6.如權利要求2所述的半導體裝置，其中，
所述基座部具備具有各向異性的熱傳導率的石墨基板。
7.如權利要求5或6所述的半導體裝置，其中，
在所述石墨基板的熱傳導率相對較高的取向方向配置所述石墨基板。
8.一種半導體裝置，其特征在于，包括：
由在工作狀態(tài)發(fā)熱的半導體設備形成的熱源，
與所述熱源熱連接的熱擴散部，和
與所述熱擴散部連接的多個散熱部；
所述熱擴散部具有在空間上包含所述散熱部的冷卻器。
9.如權利要求8所述的半導體裝置，其中，
所述熱擴散部具有開口部，包含所述散熱部的空間在所述開口部開口。
10.如權利要求8所述的半導體裝置，其中，
所述熱擴散部以空間上封閉的狀態(tài)包含所述散熱部。
11.如權利要求9所述的半導體裝置，其中，
所述散熱部具有基座部以及與所述基座部連接的多個風冷散熱片部，
所述基座部與所述熱擴散部接觸。
12.如權利要求9或11所述的半導體裝置，其中，
所述散熱部的一部分具有所述熱擴散部與所述開口部以外的非接觸部。
13.如權利要求11或12所述的半導體裝置，其中，
以T1作為所述基座部的表面溫度、T2作為所述風冷散熱片部的根部溫度、T3作為所述風冷散熱片部的前端溫度、LB(mm)作為所述基座部的基座長度，
RATIO＝(T2－T3)/(T1－T2)的值為25/LB(mm)以下。
14.如權利要求8～13中任一項所述的半導體裝置，其中，
構成所述熱擴散部的材料的熱傳導率為構成所述散熱部的材料的熱傳導率以上。
15.如權利要求8～14中任一項所述的具有冷卻器的半導體裝置，其中，
所述熱擴散部具有銅(Cu)或均熱板。
16.如權利要求8～14中任一項所述的具有冷卻器的半導體裝置，其中，
所述熱擴散部具備具有各向異性的熱傳導率的石墨基板。
17.如權利要求11所述的半導體裝置，其中，
所述基座部具備具有各向異性的熱傳導率的石墨基板。
18.如權利要求16或17所述的半導體裝置，其中，
在所述石墨基板的熱傳導率相對較高的取向方向配置所述石墨基板。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于羅姆股份有限公司，未經(jīng)羅姆股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201880075251.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
