[發(fā)明專利]硅漂移型放射線檢測元件、硅漂移型放射線檢測器和放射線檢測裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880074857.4
• 申請日: 2018-12-14
• 公開（公告）號: CN111373288A
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 松永大輔;青山淳一;大久保悠史;井川圣史
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社堀場制作所
• 主分類號: G01T1/24
• 分類號: G01T1/24;G01N23/223
• 代理公司: 北京信慧永光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 崔迎賓;李雪春

1.一種硅漂移型放射線檢測元件，其特征在于，

在入射放射線的表面上設(shè)置有遮光膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅漂移型放射線檢測元件，其特征在于，

所述遮光膜使向所述表面入射的光的量減少到小于0.1％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的硅漂移型放射線檢測元件，其特征在于，

所述遮光膜是厚度超過50nm且小于500nm的金屬膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的硅漂移型放射線檢測元件，其特征在于，

所述遮光膜是碳膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的硅漂移型放射線檢測元件，其特征在于，

所述硅漂移型放射線檢測元件還包括：

信號輸出電極，設(shè)置在處于與所述表面相反側(cè)的背面，流入通過放射線的入射而產(chǎn)生的電荷，輸出與所述電荷對應(yīng)的信號；

第一電極，設(shè)置在所述表面，被施加電壓；以及

多個第二電極，設(shè)置在所述背面，包圍所述信號輸出電極，距所述信號輸出電極的距離互不相同，

所述第二電極具有沿著所述背面的一個方向的長度大于沿著所述背面的其他方向的長度的形狀，

所述信號輸出電極由沿著所述一個方向排列且相互連接的多個電極構(gòu)成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的硅漂移型放射線檢測元件，其特征在于，

所述硅漂移型放射線檢測元件還包括：

信號輸出電極，設(shè)置在處于與所述表面相反側(cè)的背面，流入通過放射線的入射而產(chǎn)生的電荷，輸出與所述電荷對應(yīng)的信號；

第一電極，設(shè)置在所述表面，被施加電壓；以及

多個第二電極，設(shè)置在所述背面，包圍所述信號輸出電極，距所述信號輸出電極的距離互不相同，

所述第二電極具有沿著所述背面的一個方向的長度大于沿著所述背面的其他方向的長度的形狀，

所述信號輸出電極包括設(shè)置在所述背面且沿著所述一個方向延伸的導(dǎo)電線。

7.一種硅漂移型放射線檢測器，其特征在于，

所述硅漂移型放射線檢測器包括：

殼體；以及

權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的硅漂移型放射線檢測元件，配置在所述殼體的內(nèi)側(cè)，

所述殼體具有未被堵塞的開口部，

所述硅漂移型放射線檢測元件具有與所述開口部對置的表面，

在該表面上設(shè)置有遮光膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的硅漂移型放射線檢測器，其特征在于，

所述表面大于所述開口部，

所述殼體具有包括所述開口部的邊緣且與所述表面的一部分重疊的重疊部分，

所述表面中由所述重疊部分重疊的部分包圍的部分通過所述遮光膜覆蓋。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的硅漂移型放射線檢測器，其特征在于，

不具備對所述硅漂移型放射線檢測元件進(jìn)行冷卻的冷卻部，

所述殼體未被氣密。

10.根據(jù)權(quán)利要求7至9中任一項(xiàng)所述的硅漂移型放射線檢測器，其特征在于，

在與所述表面對置的位置不設(shè)置窗構(gòu)件。

11.根據(jù)權(quán)利要求7至10中任一項(xiàng)所述的硅漂移型放射線檢測器，其特征在于，

還包括填充在所述殼體與所述硅漂移型放射線檢測元件之間的間隙的填充物。

12.一種放射線檢測裝置，其特征在于，包括：

權(quán)利要求7至11中任一項(xiàng)所述的硅漂移型放射線檢測器；以及

光譜生成部，生成該硅漂移型放射線檢測器檢測到的放射線的光譜。

13.一種放射線檢測裝置，其特征在于，包括：

照射部，向試樣照射放射線；

權(quán)利要求7至11中任一項(xiàng)所述的硅漂移型放射線檢測器，檢測從所述試樣產(chǎn)生的放射線；

光譜生成部，生成該硅漂移型放射線檢測器檢測到的放射線的光譜；以及

顯示部，顯示該光譜生成部生成的光譜。