[發(fā)明專利]波長轉(zhuǎn)換體

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880073650.5
• 申請日: 2018-11-02
• 公開（公告）號: CN111656228B
• 公開（公告）日: 2022-07-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 中村將啟;奧野達(dá)也
• 申請（專利權(quán)）人: 松下知識產(chǎn)權(quán)經(jīng)營株式會社
• 主分類號: G02B5/20
• 分類號: G02B5/20;C09K11/08
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 陳建全

1.一種波長轉(zhuǎn)換體，其具備：

基材部；和

形成于所述基材部上的光學(xué)轉(zhuǎn)換層，其包含光學(xué)轉(zhuǎn)換無機粒子和保持所述光學(xué)轉(zhuǎn)換無機粒子彼此的無機粘合劑部，

其中，所述無機粘合劑部包含平均粒徑小于所述光學(xué)轉(zhuǎn)換無機粒子的粒子狀的粘合劑微粒和無定型粘合劑，

將所述光學(xué)轉(zhuǎn)換層中的自所述光學(xué)轉(zhuǎn)換層的厚度方向的中間面起存在于所述基材部側(cè)的部分規(guī)定為基材側(cè)部分、將自所述中間面起存在于與所述基材部相反側(cè)的部分規(guī)定為反基材側(cè)部分，將所述基材側(cè)部分中的所述粘合劑微粒的平均體積濃度相對于所述基材側(cè)部分中的所述光學(xué)轉(zhuǎn)換無機粒子的平均體積濃度的比率規(guī)定為基材側(cè)粘合劑微粒濃度比率RF_S、并且將所述反基材側(cè)部分中的所述粘合劑微粒的平均體積濃度相對于所述反基材側(cè)部分中的所述光學(xué)轉(zhuǎn)換無機粒子的平均體積濃度的比率規(guī)定為反基材側(cè)粘合劑微粒濃度比率RF_O，所述基材側(cè)粘合劑微粒濃度比率RF_S大于所述反基材側(cè)粘合劑微粒濃度比率RF_O。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換體，其中，所述光學(xué)轉(zhuǎn)換無機粒子的平均粒徑為1～100μm，所述粘合劑微粒的平均粒徑為10～100nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的波長轉(zhuǎn)換體，其中，將所述基材側(cè)部分中的所述無定型粘合劑的平均體積濃度相對于所述基材側(cè)部分中的所述光學(xué)轉(zhuǎn)換無機粒子的平均體積濃度的比率規(guī)定為基材側(cè)無定型粘合劑濃度比率RA_S、并且將所述反基材側(cè)部分中的所述無定型粘合劑的平均體積濃度相對于所述反基材側(cè)部分中的所述光學(xué)轉(zhuǎn)換無機粒子的平均體積濃度的比率規(guī)定為反基材側(cè)無定型粘合劑濃度比率RA_O，所述反基材側(cè)無定型粘合劑濃度比率RA_O大于所述基材側(cè)無定型粘合劑濃度比率RA_S。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的波長轉(zhuǎn)換體，其中，所述無定型粘合劑的熱膨脹系數(shù)小于所述粘合劑微粒的熱膨脹系數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的波長轉(zhuǎn)換體，其中，所述粘合劑微粒為中空粒子或介孔粒子。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的波長轉(zhuǎn)換體，其中，所述粘合劑微粒的材質(zhì)為金屬氧化物或氟化合物。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的波長轉(zhuǎn)換體，其中，所述無定型粘合劑的材質(zhì)是以聚硅氮烷及聚硅氮烷衍生物中的至少一者作為前驅(qū)體的硅玻璃。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的波長轉(zhuǎn)換體，其中，所述粘合劑微粒的熱膨脹系數(shù)為1×10^-6/K以上。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的波長轉(zhuǎn)換體，其中，所述粘合劑微粒的折射率為1.43以下。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的波長轉(zhuǎn)換體，其中，所述基材部由金屬形成。