[發(fā)明專利]膜結(jié)構(gòu)體及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880073619.1
• 申請日: 2018-11-09
• 公開（公告）號: CN111344876B
• 公開（公告）日: 2023-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 木島健;濱田泰彰
• 申請（專利權(quán)）人: 日商愛伯壓電對策股份有限公司
• 主分類號: H10N30/079
• 分類號: H10N30/079;C01G25/00;C23C14/08;C23C14/34;C23C14/35;H10N30/076;H10N30/853
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 劉文海

膜結(jié)構(gòu)體具有：基板(11)，其是包含由(100)面構(gòu)成的上表面(11a)的硅基板；取向膜(12)，其形成于上表面(11a)上，具有立方晶的晶體結(jié)構(gòu)，且包含(100)取向的氧化鋯膜；以及導(dǎo)電膜(13)，其形成于取向膜(12)上，具有立方晶的晶體結(jié)構(gòu)，且包含(100)取向的鉑膜。取向膜(12)與導(dǎo)電膜(13)之間的界面(IF1)的平均界面粗糙度比基板(11)與取向膜(12)之間的界面(IF2)的平均界面粗糙度大。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及膜結(jié)構(gòu)體及其制造方法。

背景技術(shù)

作為具有基板、在基板上形成的導(dǎo)電膜、以及在導(dǎo)電膜上形成的壓電膜的膜結(jié)構(gòu)體，已知有具有基板、在基板上形成的包含鉑的導(dǎo)電膜、以及在導(dǎo)電膜上形成的包含鋯鈦酸鉛(PZT)的壓電膜的膜結(jié)構(gòu)體。

在國際公開第2016/009698號(專利文獻(xiàn)1)中公開了如下技術(shù)，即，在強(qiáng)電介質(zhì)陶瓷中，具備Pb(Zr_1-ATi_A)O₃膜和在該P(yáng)b(Zr_1-ATi_A)O₃膜上形成的Pb(Zr_1-xTi_x)O₃膜，A和x滿足0≤A≤0.1和0.1＜x＜1。

在日本特開2014-84494號公報(專利文獻(xiàn)2)中公開了在硅基板(Si)上預(yù)先依次層疊YSZ(8％Y₂O₃+92％ZrO₂)、CeO₂、LaSrCoO₃的膜而形成的緩沖層上形成PZT的薄膜的技術(shù)。另外，在專利文獻(xiàn)2中公開了LaSrCoO₃(LSCO)相對于其他膜旋轉(zhuǎn)45°晶格的技術(shù)。

在非專利文獻(xiàn)1中公開了如下技術(shù)，即，在硅基板上形成依次層疊YSZ、CeO₂、La_0.5Sr_0.5CoO₃(LSCO)、SrRuO₃(SRO)而成的緩沖層，在該緩沖層上形成c軸取向的0.06Pb(Mn_1/3，Nb_2/3)O₃-0.94Pb(Zr_0.5Ti_0.5)O₃(PMnN-PZT)外延薄膜。在非專利文獻(xiàn)1中公開了PMnN-PZT的晶格在面內(nèi)方向相對于Si旋轉(zhuǎn)45°的技術(shù)。

在非專利文獻(xiàn)2中公開了如下技術(shù)，即，使用MgO單晶坩堝并通過助焊劑法所培育的PbTiO₃的相對介電常數(shù)在室溫下為150，是純凈的PbTiO₃單晶的相對介電常數(shù)的1.5倍。

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：國際公開第2016/009698號

專利文獻(xiàn)2：日本特開2014-84494號公報

非專利文獻(xiàn)1：S.Yoshida et al.，“Fabrication and characterization oflarge figure-of-merit epitaxial PMnN-PZT/Si transducer for piezoelectric MEMSsensors”，Sensors and Actuators A 239(2016)201-208

非專利文獻(xiàn)2：小舟正文，其他1名，“根據(jù)MgO單晶制坩堝的PbTiO₃單晶的培育及評價”，窯業(yè)協(xié)會志，1987年，第95卷，第11號，p.1053-1058

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的課題