[發明專利]用于顯示器應用的層堆疊

有效

• 申請號: 201880072510.6
• 申請日: 2018-09-13
• 公開（公告）號: CN111316420B
• 公開（公告）日: 2023-09-19
• 發明（設計）人: 芮祥新;崔壽永;栗田真一;翟羽佳;趙來
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種包括高介電常數電介質層的層堆疊結構，包含：

第一電介質層；

第一金屬電極，設置于所述第一電介質層上；

層堆疊，設置于所述第一電介質層與所述第一金屬電極上，所述層堆疊包含：

第二電介質層，設置于所述第一電介質層與所述第一金屬電極上且與所述第一電介質層和所述第一金屬電極接觸；

高介電常數電介質層，設置于所述第二電介質層上且與所述第二電介質層接觸，所述高介電常數電介質層區別于所述第二電介質層，所述高介電常數電介質層包含二氧化鋯或二氧化鉿，所述高介電常數電介質層與所述第二電介質層于所述第一金屬電極上方的位置處接觸；及

氮化硅層，設置于所述高介電常數電介質層上且與所述高介電常數電介質層接觸；

第二金屬電極，保形地設置于所述氮化硅層上且與所述氮化硅層接觸；及

第三電介質層，保形地設置于所述第二金屬電極上。

2.根據權利要求1所述的層堆疊結構，其中所述第二電介質層包含二氧化硅、氧化鋁、二氧化鈦或氧化釔(III)。

3.根據權利要求2所述的層堆疊結構，其中所述第二電介質層具有范圍為2埃至100埃的厚度。

4.根據權利要求1所述的層堆疊結構，其中所述高介電常數電介質層具有范圍為250埃至900埃的厚度。

5.根據權利要求1所述的層堆疊結構，其中所述第一電介質層包含氮化硅或二氧化硅。

6.根據權利要求5所述的層堆疊結構，其中所述第一金屬電極包含鋁層或鉬層。

7.根據權利要求6所述的層堆疊結構，其中所述鋁層設置于二個鈦層之間。

8.根據權利要求1所述的層堆疊結構，其中所述第一電介質層包含與所述第二電介質層相同的材料。

9.根據權利要求1所述的層堆疊結構，其中所述高介電常數電介質層具有立方或正方晶相晶體結構。

10.根據權利要求1所述的層堆疊結構，其中所述氮化硅層與所述高介電常數電介質層于所述第一金屬電極上方的位置處接觸。

11.一種將高介電常數電介質層形成于電介質表面和金屬表面上方的方法，包含：

沉積第一電介質層于第二電介質層與金屬電極上，所述第一電介質層與所述第二電介質層和所述金屬電極接觸；

沉積高介電常數電介質層于所述第一電介質層上，所述高介電常數電介質層區別于所述第二電介質層，所述高介電常數電介質層包含二氧化鋯或二氧化鉿，并且所述高介電常數電介質層與所述第一電介質層于所述金屬電極上方的位置處接觸；及

使所述高介電常數電介質層退火。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述第一電介質層與所述高介電常數電介質層各自通過等離子體輔助原子層沉積工藝或等離子體輔助化學氣相沉積工藝來沉積。