[發明專利]高壓蒸氣退火處理設備有效
| 申請號: | 201880072145.9 | 申請日: | 2018-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN111373519B | 公開(公告)日: | 2021-11-23 |
| 發明(設計)人: | J·M·舒浩勒;R·B·沃派特;C·T·卡爾森;J·C·伯拉尼克;T·J·富蘭克林;D·伯拉尼克;A·韋伯 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/673 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 汪駿飛;侯穎媖 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高壓 蒸氣 退火 處理 設備 | ||
1.一種批處理腔室,包括:
腔室主體,所述腔室主體封閉內部容積,所述腔室主體具有穿過所述腔室主體的底部壁形成的開口;
狹縫閥門,所述狹縫閥門經配置以可密封地關閉穿過所述腔室主體形成的裝載端口,所述狹縫閥門包括接合所述腔室主體的內表面的密封;
匣,所述匣被可移動地設置在所述內部容積內,所述匣經配置以升高至第一位置以在所述匣中裝載多個基板,以及降低進入所述第一位置下方的第二位置以用于處理;
軸件,所述軸件被設置為穿過在所述腔室主體中形成的所述開口并且所述軸件耦合至所述匣;
栓塞,所述栓塞耦合至所述匣的底部壁,所述栓塞包括面向下的密封,所述密封經配置以在所述匣位于所述第二位置中時與所述腔室主體的所述底部壁的頂部表面接合,所述密封環繞所述開口和所述軸件,并且在所述匣位于所述第二位置中時可密封抵靠所述腔室主體的所述底部壁;以及
加熱器,所述加熱器設置于所述腔室主體的側壁中并且可操作以維持所述腔室主體處于大于290℃的溫度。
2.如權利要求1所述的批處理腔室,進一步包括中空圓柱殼,所述中空圓柱殼被設置在所述內部容積內并且具有設置于所述中空圓柱殼的內表面上的一個或更多個加熱器。
3.如權利要求2所述的批處理腔室,進一步包括設置于所述匣上的蓋,所述蓋具有大于所述中空圓柱殼的外徑的直徑。
4.如權利要求1所述的批處理腔室,其中所述腔室主體的所述底部壁包括階梯形開口以容納所述栓塞。
5.如權利要求1所述的批處理腔室,進一步包括設置于所述匣的所述底部壁和所述栓塞之間的熱中斷。
6.如權利要求1所述的批處理腔室,進一步包括設置于所述栓塞內的冷卻通道。
7.如權利要求1所述的批處理腔室,其中所述匣的所述底部壁包括開口,所述開口經配置以允許流體流經所述開口。
8.一種批處理腔室,包括:
腔室主體,所述腔室主體封閉內部容積;
狹縫閥門,所述狹縫閥門經配置以可密封地關閉穿過所述腔室主體形成的裝載端口,所述狹縫閥門包括接合所述腔室主體的內表面的密封;
匣,所述匣被可移動地設置在所述內部容積內,所述匣在第一位置和所述第一位置下方的第二位置之間可移動;
中空圓柱殼,所述中空圓柱殼被設置在內部容積內并且在所述匣位于所述第二位置中時環繞所述匣;
加熱器,所述加熱器設置于所述腔室主體的側壁中并且可操作以維持所述腔室主體處于大于290℃的溫度;以及
附加的加熱器,當所述匣位于所述第二位置中時,所述附加的加熱器被設置在所述中空圓柱殼的內表面和所述匣之間。
9.如權利要求8所述的批處理腔室,進一步包括:
栓塞,所述栓塞耦合至所述匣的底部壁并且經配置以在所述內部容積內上下移動,所述栓塞包括:
面向下的密封,所述面向下的密封經配置以與所述腔室主體的底部壁的頂部表面接合。
10.如權利要求8所述的批處理腔室,進一步包括設置于所述匣上的蓋,所述蓋具有大于所述中空圓柱殼的外徑的直徑。
11.如權利要求8所述的批處理腔室,其中所述匣的底部壁包括穿過所述匣的底部壁形成的開口,以允許流體流經所述開口。
12.如權利要求9所述的批處理腔室,其中所述腔室主體的底部壁包括階梯形開口以容納所述栓塞。
13.如權利要求9所述的批處理腔室,進一步包括設置于所述匣的底部壁和所述栓塞之間的熱中斷。
14.如權利要求9所述的批處理腔室,進一步包括冷卻通道,所述冷卻通道設置于所述栓塞內。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
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