[發明專利]電子器件的制造方法有效
| 申請號： | 201880071912.4 | 申請日： | 2018-11-09 |
| 公開（公告）號： | CN111373840B | 公開（公告）日： | 2022-12-20 |
| 發明（設計）人： | 牧島幸宏;高秀雄;北弘志;硯里善幸;吉田麗娜 | 申請（專利權）人： | 柯尼卡美能達株式會社 |
| 主分類號： | H05B33/04 | 分類號： | H05B33/04;B01D53/28;H01L21/336;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/10 |
| 代理公司： | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人： | 賈成功 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電子器件 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種電子器件的制造方法，是至少依次具有有機功能層、防溶出膜及密封膜的電子器件的制造方法，其特征在于，具有：
將有機硅樹脂涂布后照射真空紫外線而形成所述防溶出膜的工序；和
將金屬醇鹽和氟代醇的混合液在所述防溶出膜上涂布后、照射真空紫外線而形成所述密封膜的工序。
2.根據權利要求1所述的電子器件的制造方法，其特征在于，在所述形成防溶出膜的工序中，在有機硅樹脂中混合硅氧烷系溶劑而涂布。
3.根據權利要求2所述的電子器件的制造方法，其特征在于，所述硅氧烷系溶劑為環狀硅氧烷系溶劑。
4.根據權利要求2或3所述的電子器件的制造方法，其特征在于，使所述硅氧烷系溶劑的含量(質量)相對于所述有機硅樹脂在1～30倍的范圍內。
5.根據權利要求1-3中任一項所述的電子器件的制造方法，其特征在于，所述防溶出膜的涂布后的濕膜厚為10μm以下。
6.根據權利要求1-3中任一項所述的電子器件的制造方法，其特征在于，在所述形成防溶出膜的工序中，真空紫外線的照射量為0.1～10J/cm2的范圍內。
7.根據權利要求1-3中任一項所述的電子器件的制造方法，其特征在于，在所述形成密封膜的工序中，真空紫外線的照射量為0.1～10J/cm2的范圍內。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于柯尼卡美能達株式會社，未經柯尼卡美能達株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201880071912.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：具有內部表面感受器材料的筒
- 下一篇：呼吸聲學裝置
