[發(fā)明專(zhuān)利]存儲(chǔ)器裝置的修整設(shè)置確定

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880071772.0
• 申請(qǐng)日: 2018-11-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111316365B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A·提魯文加達(dá)姆;D·L·洛倫斯;P·費(fèi)利
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C29/02
• 分類(lèi)號(hào): G11C29/02;G11C16/10
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

本發(fā)明包含與包含控制器及存儲(chǔ)器單元陣列的存儲(chǔ)器系統(tǒng)相關(guān)的設(shè)備及方法。實(shí)例設(shè)備可包含控制器，所述控制器經(jīng)配置以基于由存儲(chǔ)器單元陣列執(zhí)行的先前操作接收所述存儲(chǔ)器單元陣列的操作特性，基于所述存儲(chǔ)器單元陣列的所述操作特性確定所述存儲(chǔ)器單元陣列的一組修整設(shè)置，其中所述修整設(shè)置組與所述存儲(chǔ)器單元陣列的所要操作特性相關(guān)聯(lián)，且將所述修整設(shè)置組發(fā)送到所述存儲(chǔ)器單元陣列。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明大體上涉及存儲(chǔ)器系統(tǒng)，且更特定來(lái)說(shuō)涉及確定存儲(chǔ)器裝置的修整設(shè)置的設(shè)備和方法。

背景技術(shù)

存儲(chǔ)器裝置通常被提供為計(jì)算機(jī)或其它電子裝置中的內(nèi)部、半導(dǎo)體、集成電路及/或外部可移除裝置。存在許多不同類(lèi)型的存儲(chǔ)器，包含易失性及非易失性存儲(chǔ)器。易失性存儲(chǔ)器可能需要電源來(lái)維持其數(shù)據(jù)且可包含隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)及同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)等等。非易失性存儲(chǔ)器可通過(guò)在不加電時(shí)保留存儲(chǔ)數(shù)據(jù)來(lái)提供持久數(shù)據(jù)且可包含NAND閃存、NOR閃存、只讀存儲(chǔ)器(ROM)及電阻可變存儲(chǔ)器，例如相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PCRAM)、電阻性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)及可編程導(dǎo)電存儲(chǔ)器等等。

存儲(chǔ)器裝置可用作用于需要高存儲(chǔ)器密度、高可靠性及低功耗的廣泛范圍的電子應(yīng)用的易失性及非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器可用于例如個(gè)人計(jì)算機(jī)、便攜式存儲(chǔ)棒、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)、數(shù)碼相機(jī)、蜂窩電話(huà)、例如MP3播放器的便攜式音樂(lè)播放器及電影播放器，以及其它電子裝置中。

電阻可變存儲(chǔ)器裝置可包含可基于存儲(chǔ)元件(例如，具有可變電阻的電阻性存儲(chǔ)器元件)的電阻狀態(tài)來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電阻性存儲(chǔ)器單元。因而，可通過(guò)改變電阻性存儲(chǔ)器元件的電阻電平來(lái)對(duì)電阻性存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程以存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)于目標(biāo)數(shù)據(jù)狀態(tài)的數(shù)據(jù)。可通過(guò)將例如正或負(fù)電脈沖(例如，正或負(fù)電壓或電流脈沖)的電場(chǎng)或能量源施加到電阻性存儲(chǔ)器單元(例如，所述單元的電阻性存儲(chǔ)器元件)達(dá)特定持續(xù)時(shí)間來(lái)將所述單元編程為目標(biāo)數(shù)據(jù)狀態(tài)(例如，對(duì)應(yīng)于特定電阻狀態(tài))。可通過(guò)響應(yīng)于所施加詢(xún)問(wèn)電壓而感測(cè)通過(guò)電阻性存儲(chǔ)器單元的電流來(lái)確定所述單元的狀態(tài)。基于所述單元的電阻電平變動(dòng)的所感測(cè)電流可指示所述單元的狀態(tài)。

可針對(duì)電阻性存儲(chǔ)器單元設(shè)置數(shù)種數(shù)據(jù)狀態(tài)(例如，電阻狀態(tài))中的一者。例如，單級(jí)存儲(chǔ)器單元(SLC)可被編程為兩種不同數(shù)據(jù)狀態(tài)中的目標(biāo)狀態(tài)，所述目標(biāo)狀態(tài)可由二進(jìn)制單位1或0表示且可取決于所述單元是否被編程為高于或?yàn)榈陀谔囟娖降碾娮琛Ｗ鳛轭~外實(shí)例，一些電阻性存儲(chǔ)器單元可被編程為兩種以上數(shù)據(jù)狀態(tài)中的目標(biāo)狀態(tài)(例如，1111、0111、0011、1011、1001、0001、0101、1101、1100、0100、0000、1000、1010、0010、0110及1110)。此類(lèi)單元可被稱(chēng)為多狀態(tài)存儲(chǔ)器單元、多單位單元或多級(jí)單元(MLC)。MLC可提供更高密度存儲(chǔ)器而不會(huì)增加存儲(chǔ)器單元數(shù)，因?yàn)槊恳粏卧杀硎疽粋€(gè)以上數(shù)字(例如，一個(gè)以上位)。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)案的一個(gè)實(shí)施例提供一種設(shè)備，其包括具有控制電路的控制器，所述控制電路經(jīng)配置以：基于由存儲(chǔ)器單元陣列(112、212)執(zhí)行的先前操作接收所述存儲(chǔ)器單元陣列的操作特性(461、462、463、464、465、466、467、468)；基于所述存儲(chǔ)器單元陣列的所述操作特性確定所述存儲(chǔ)器單元陣列的一組修整設(shè)置(106、206、330、332、334)，其中所述修整設(shè)置組與所述存儲(chǔ)器單元陣列的所要操作特性相關(guān)聯(lián)；及將所述修整設(shè)置組發(fā)送到所述存儲(chǔ)器單元陣列。