[發(fā)明專利]功能性微電子裝置的產(chǎn)出的提高

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880070921.1
• 申請日: 2018-11-02
• 公開（公告）號: CN111316412A
• 公開（公告）日: 2020-06-19
• 發(fā)明（設計）人: 卡洛斯·豐塞卡;納森·伊普;喬爾·埃斯特雷拉
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227
• 代理人: 康建峰;楊林森

1.一種與半導體制造協(xié)同地促進功能性微電子裝置的產(chǎn)出的方法，其中，半導體制造包括由半導體晶圓的層形成微電子裝置的集合，所述方法包括：

收集所述半導體晶圓的制造計量數(shù)據(jù)，其中，所述制造計量數(shù)據(jù)包括在所述半導體制造中形成的所述晶圓的一個或更多個特性的測量結果，并且每個測量結果與所述晶圓的進行這樣的測量的空間位置相關聯(lián)；

基于所收集的制造計量數(shù)據(jù)檢測所述半導體晶圓的不合格部分；

識別所述半導體晶圓的不合格區(qū)域，其中，所述不合格區(qū)域包括相鄰的不合格部分的聚集；

確定所述不合格區(qū)域中的不合格部分對至少部分地由所述不合格區(qū)域形成的所述微電子裝置的功能的系統(tǒng)性影響；

改善被確定為對形成為所述半導體晶圓的一部分的所述微電子裝置的機電功能具有系統(tǒng)性影響的所述不合格區(qū)域中的不合格部分。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述改善包括：

選取至少一個半導體制造工具；

選擇在所選取的半導體制造工具的操作中的至少一個改變，其中，所述至少一個改變修改所述半導體制造；

根據(jù)在所選取的半導體制造工具的操作中的所選擇的改變來模擬半導體晶圓的制造；

估計對由所模擬的半導體晶圓形成的所述微電子裝置的機電性質(zhì)和/或功能的影響。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述改善包括：

選取多個半導體制造工具的組合；

選擇在所選取的半導體制造工具中的每個半導體制造工具的操作中的至少一個改變，其中，所述改變修改所述半導體制造；

根據(jù)在所選取的半導體制造工具中的每個半導體制造工具的操作中的所選擇的改變來模擬半導體晶圓的制造；

估計對由所模擬的半導體晶圓形成的所述微電子裝置的機電性質(zhì)和/或功能的影響。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述改善包括在至少一個半導體制造工具的操作中的至少一個改變，其中，所述至少一個改變修改所述半導體制造。

5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述改善包括在選取的半導體制造工具中的至少一個半導體制造工具的操作中的至少一個改變，其中，所述改變修改所述半導體制造。

6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述半導體制造的一個或多個工具選自沉積工具、軌道工具、光刻工具、蝕刻工具和清潔工具。

7.一種包括指令的非暫態(tài)計算機可讀存儲介質(zhì)，所述指令在被執(zhí)行時使計算裝置的處理器與通過由半導體晶圓的層(例如，材料的圖案的堆疊)形成微電子裝置的集合的半導體制造協(xié)同地執(zhí)行操作，所述操作包括：

收集所述半導體晶圓的制造計量數(shù)據(jù)，其中，所述制造計量數(shù)據(jù)包括在所述半導體制造中形成的所述晶圓的一個或更多個特性的測量結果，并且每個測量結果與所述晶圓的進行這樣的測量的空間位置相關聯(lián)；

基于所收集的制造計量數(shù)據(jù)檢測所述半導體晶圓的不合格部分；

識別所述半導體晶圓的不合格區(qū)域，其中，所述不合格區(qū)域包括相鄰的不合格部分的聚集；

確定所述不合格區(qū)域中的不合格部分對至少部分地由所述不合格區(qū)域形成的所述微電子裝置的功能的系統(tǒng)性影響；

改善被確定為對形成為所述半導體晶圓的一部分的所述微電子裝置的機電功能具有足夠的系統(tǒng)性影響的所述不合格區(qū)域中的不合格部分。

8.根據(jù)權利要求7所述的非暫態(tài)計算機可讀存儲介質(zhì)，其中，所述改善操作包括：

選取至少一個半導體制造工具；

選擇在所選取的半導體制造工具的操作中的至少一個改變，其中，所述至少一個改變修改所述半導體制造；

根據(jù)在所選取的半導體制造工具的操作中的所選擇的改變來模擬半導體晶圓的制造；

估計對由所模擬的半導體晶圓形成的所述微電子裝置的機電性質(zhì)和/或功能的影響。