[發明專利]在具有非平坦表面的支撐件上制造膜的方法

在審

• 申請號: 201880070872.1
• 申請日: 2018-10-31
• 公開（公告）號: CN111295743A
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發明（設計）人: 布魯諾·吉瑟蘭;J-M·貝斯奧謝
• 申請（專利權）人: 索泰克公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 王小東;黃綸偉

本發明涉及一種在具有非平坦表面的支撐件(20)上制造膜(12)的方法，其特征在于，該方法包括：?供應具有非平坦表面的供體襯底(10)，?在供體襯底(10)中形成脆化區(11)以界定待轉移的所述膜(12)，?在待轉移的膜(12)的非平坦表面上通過沉積形成支撐件(20)，?使供體襯底(10)沿著脆化區(11)分離，以將所述膜(12)轉移到支撐件(20)上。

技術領域

本發明涉及一種在具有非平坦表面的支撐件上制造膜的方法。

背景技術

當膜與支撐件具有不平坦的界面(交互表面)，也就是說支撐件的所述表面包括至少一個曲率和/或凹陷或浮雕圖案時，在該支撐件上生產所述膜，特別是單晶體不是容易的事。

這種特別的拓撲結構不適合于結合和層壓方法，通常的趨勢是走向包括通過沉積在所述支撐件上形成膜的技術。

然而，除了膜相對于支撐件的良好機械強度之外，還有必要確保膜的足夠良好的結晶質量。然而，膜的結晶質量很大程度上取決于進行沉積的支撐件，特別是其表面。當考慮通過外延形成的單晶膜時更是如此。在這種情況下，因為需要具有適合于希望沉積的膜的適當晶體結構和晶格參數，支撐件的本質特別關鍵。能夠起到支撐作用的候選列表變得非常有限，以至于在某些規范情況下無法找到解決方案。

發明內容

因此，本發明的一個目的是構思一種在具有非平坦表面的支撐件上制造膜的方法，同時確保膜的良好結晶質量和關于支撐件的性質的相當廣泛的選擇二者。

為此，本發明提出了一種在具有非平坦表面的支撐件上制造膜的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

-供應具有非平坦表面的供體襯底，

-在供體襯底中形成脆化區，以界定待轉移的所述膜，

-通過沉積在待轉移的膜的非平坦表面上形成支撐件，

-使供體襯底沿著脆化區分離，以將所述膜轉移到支撐件上。

根據一個實施方式，所述方法還包括：在沉積支撐件之前，在非平坦表面上沉積中間層。

脆化區的形成有利地通過在供體襯底中注入離子物質來執行。

所述注入的離子物質可以是氫和/或氦。

根據一個實施方式，通過熱處理來導致供體襯底的分離。

在這種情況下，支撐件的沉積有利地以低于分離熱處理的熱預算來實現。

轉移的膜可由選自半導體材料、壓電材料、磁性材料和功能氧化物的材料制成。

以特別有利的方式，轉移的膜是單晶的。

轉移的膜的厚度通常介于100nm和10μm之間，優選介于100nm和1μm之間。

支撐件可由選自金屬、玻璃和陶瓷的材料制成。

支撐件通常具有介于1μm和50μm之間的厚度。

優選地，支撐件的材料被選擇為相對于轉移的膜的材料的熱系數差的絕對值小于5×10^-6K^-1。

支撐件的沉積可通過以下技術之一來實現：物理氣相沉積、化學氣相沉積、電化學沉積、旋涂、涂漆和噴涂。

根據本發明的一個實施方式，待轉移的膜的表面具有至少一個彎曲部分。

根據本發明的一個實施方式，待轉移的膜的表面具有至少一個凹陷或浮雕圖案。

根據本發明的一個實施方式，待轉移的膜的表面具有由大于1nm rms的粗糙度表征的紋理。